[實用新型]基于開關特性測量的IGBT芯片篩選結構

有效

• 申請號: 201620356492.2
• 申請日: 2016-04-25
• 公開（公告）號: CN206148403U
• 公開（公告）日: 2017-05-03
• 發明（設計）人: 唐新靈;莫申楊;崔翔;趙志斌;張朋;李金元;溫家良
• 申請（專利權）人: 華北電力大學;全球能源互聯網研究院;國家電網公司
• 主分類號: H01L21/66
• 分類號: H01L21/66
• 代理公司: 北京安博達知識產權代理有限公司11271
• 代理人: 徐國文

1.一種基于開關特性測量的IGBT芯片篩選結構，其特征在于，所述IGBT芯片篩選結構包括上端蓋(1)、下端蓋(4)和發射極金屬電極(5)；

所述上端蓋(1)和下端蓋(4)均為凹形蓋，所述上端蓋(1)和下端蓋(4)的兩側壁通過外框架彈簧(3)連接形成一個長方體框架；所述上端蓋(1)和下端蓋(4)的側壁均設置有定位孔，二者通過定位銷(2)固定；

所述發射極金屬電極(5)設置在所述長方體框架內，其包括圓盤形金屬電極(51)，及相對該圓盤形金屬電極(51)的中心軸對稱分布的多個凸臺(52)，所述凸臺(52)上放置IGBT模塊；

所述圓盤形金屬電極(51)布置在所述下端蓋(4)上，其上面和側面分別設置有一個柵極PCB板(55)和一個輔助柵極/發射極端子(54)，該輔助柵極/發射極端子(54)用于連接IGBT芯片驅動板的負極。

2.如權利要求1所述的一種基于開關特性測量的IGBT芯片篩選結構，其特征在于，

所述上端蓋(1)的上表面為光滑導電銅塊(11)，兩側壁為絕緣陶瓷(12)；

所述下端蓋(4)的下表面為光滑導電銅塊(41)，兩側壁為絕緣陶瓷(42)。

3.如權利要求1所述的一種基于開關特性測量的IGBT芯片篩選結構，其特征在于，所述IGBT模塊包括柵極彈簧頂針(53)、塑料框架(56)、IGBT芯片(57)、鉬片(58)和陶瓷端蓋(59)；

所述IGBT芯片(57)和鉬片(58)順次設置在所述凸臺(52)的上表面；所述IGBT芯片(57)的發射極一側設置在所述凸臺(52)上表面，集電極一側設置在所述鉬片(58)的下表面；

所述塑料框架(56)為由四個側壁構成的塑料框架，其套設在所述凸臺(52)的外側；

所述陶瓷端蓋(59)包括由四個陶瓷側壁組成的陶瓷外殼(592)和一個頂部銅塊(591)，該陶瓷端蓋(59)套設在所述塑料框架(56)的外側；

所述柵極彈簧頂針(53)，用于連接所述柵極PCB板(55)與所述IGBT芯片(57)的柵極。

4.如權利要求3所述的一種基于開關特性測量的IGBT芯片篩選結構，其特征在于，所述陶瓷端蓋(59)還包括導電銅片(593)、端蓋彈簧(594)和導電銅塊(595)；

所述導電銅塊(595)設置在所述鉬片(58)的上表面；

所述端蓋彈簧(594)連接所述頂部銅塊(591)與導電銅塊(595)；

所述導電銅片(593)也連接所述頂部銅塊(591)與導電銅塊(595)。

5.如權利要求3所述的一種基于開關特性測量的IGBT芯片篩選結構，其特征在于，所述凸臺(52)的一角為缺口；所述柵極彈簧頂針(53)設置在所述缺口內。

6.如權利要求1所述的一種基于開關特性測量的IGBT芯片篩選結構，其特征在于，所述圓盤形金屬電極(51)的厚度為5～8mm。