[實用新型]制造半導體基片的裝置有效
| 申請號： | 201620213362.3 | 申請日： | 2016-03-18 |
| 公開（公告）號： | CN205576257U | 公開（公告）日： | 2016-09-14 |
| 發明（設計）人： | 李光武 | 申請（專利權）人： | 李光武 |
| 主分類號： | C23C4/12 | 分類號： | C23C4/12;C23C4/123;C23C4/04 |
| 代理公司： | 北京同立鈞成知識產權代理有限公司 11205 | 代理人： | 陶敏;黃健 |
| 地址： | 100016 北京市朝陽區東*** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 制造 半導體 裝置 | ||
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C23 對金屬材料的鍍覆；用金屬材料對材料的鍍覆；表面化學處理；金屬材料的擴散處理；真空蒸發法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆；金屬材料腐蝕或積垢的一般抑制
C23C 對金屬材料的鍍覆；用金屬材料對材料的鍍覆；表面擴散法，化學轉化或置換法的金屬材料表面處理；真空蒸發法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆
C23C4-00 熔融態覆層材料噴鍍法，例如火焰噴鍍法、等離子噴鍍法或放電噴鍍法的鍍覆
C23C4-02 .待鍍材料的預處理，例如為了在選定的表面區域鍍覆
C23C4-04 .以鍍覆材料為特征的
C23C4-12 .以噴鍍方法為特征的
C23C4-18 .后處理
C23C4-14 ..用于長形材料的鍍覆
C23C 對金屬材料的鍍覆；用金屬材料對材料的鍍覆；表面擴散法，化學轉化或置換法的金屬材料表面處理；真空蒸發法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆
C23C4-00 熔融態覆層材料噴鍍法，例如火焰噴鍍法、等離子噴鍍法或放電噴鍍法的鍍覆
C23C4-02 .待鍍材料的預處理，例如為了在選定的表面區域鍍覆
C23C4-04 .以鍍覆材料為特征的
C23C4-12 .以噴鍍方法為特征的
C23C4-18 .后處理
C23C4-14 ..用于長形材料的鍍覆
