[實用新型]一種硅片裂痕檢測裝置有效
| 申請號: | 201620211662.8 | 申請日: | 2016-03-18 |
| 公開(公告)號: | CN205385011U | 公開(公告)日: | 2016-07-13 |
| 發明(設計)人: | 張仲英;王斌;孔維興 | 申請(專利權)人: | 浙江綠遠光伏科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/66 | 分類號: | H01L21/66;H01L21/67 |
| 代理公司: | 北京科億知識產權代理事務所(普通合伙) 11350 | 代理人: | 湯東鳳 |
| 地址: | 323400 浙江省麗*** | 國省代碼: | 浙江;33 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 硅片 裂痕 檢測 裝置 | ||
1.一種硅片裂痕檢測裝置,包括照射硅片表面的影像組件(3)和吹氣嘴(8),其特征在于,一個影像組件(3)和設置在該影像組件(3)前側的吹氣嘴(8)組成一個檢測單元,所述檢測單元設置在硅片(2)的上下兩側,所述影像組件(3)由一側的發射光源(6)和另一側的影像傳感器(7)組成,且所述影像組件(3)的尾端部線路連接成像處理單元(4),所述成像處理單元(4)連接顯示單元(5)。
2.根據權利要求1所述的一種硅片裂痕檢測裝置,其特征在于,所述影像組件(3)和吹氣嘴(8)組成的檢測單元靠近硅片(2)的上下端面各至少設置有兩組。
3.根據權利要求1所述的一種硅片裂痕檢測裝置,其特征在于,所述吹氣嘴(8)的嘴口垂直于硅片(2)。
4.根據權利要求1所述的一種硅片裂痕檢測裝置,其特征在于,所述硅片(2)由輸送帶(1)輸送向一側運行。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





