[實用新型]一種P+深結區位于短路孔內的半導體放電管芯片有效
| 申請號： | 201620192037.3 | 申請日： | 2016-03-14 |
| 公開（公告）號： | CN205428933U | 公開（公告）日： | 2016-08-03 |
| 發明（設計）人： | 張超;王成森 | 申請（專利權）人： | 江蘇捷捷微電子股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L29/06 | 分類號： | H01L29/06 |
| 代理公司： | 南京正聯知識產權代理有限公司 32243 | 代理人： | 盧海洋 |
| 地址： | 226200 江蘇*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 sup 區位 短路 半導體 放電 芯片 | ||
【說明書】：
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