[實用新型]一種化合物原位合成連續晶體生長的VGF高壓爐有效
| 申請號： | 201620182638.6 | 申請日： | 2016-03-10 |
| 公開（公告）號： | CN205398768U | 公開（公告）日： | 2016-07-27 |
| 發明（設計）人： | 孫聶楓;王陽;王書杰;劉惠生;孫同年 | 申請（專利權）人： | 中國電子科技集團公司第十三研究所 |
| 主分類號： | C30B11/00 | 分類號： | C30B11/00 |
| 代理公司： | 石家莊國為知識產權事務所 13120 | 代理人： | 米文智 |
| 地址： | 050051 *** | 國省代碼： | 河北;13 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 化合物 原位 合成 連續 晶體生長 vgf 高壓 | ||
【說明書】：
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