[實(shí)用新型]一種改進(jìn)的晶元掩膜層沉積用噴氣盤(pán)

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201620143930.7
• 申請(qǐng)日: 2016-02-25
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN205385013U
• 公開(kāi)（公告）日: 2016-07-13
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 李艷鋒
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 武漢新芯集成電路制造有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/67
• 分類號(hào): H01L21/67
• 代理公司: 北京輕創(chuàng)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11212
• 代理人: 陳衛(wèi)

技術(shù)領(lǐng)域

本實(shí)用新型屬于晶元生產(chǎn)設(shè)備領(lǐng)域，具體涉及一種改進(jìn)的晶元掩膜層沉積用噴氣盤(pán)。

背景技術(shù)

使用現(xiàn)有的噴氣盤(pán)，以化學(xué)氣相沉積法在晶元上形成的掩膜層碳厚度的形貌是晶元中心厚、邊上薄，厚度的差異是在40納米左右。如果應(yīng)用現(xiàn)有的掩膜層碳，在經(jīng)過(guò)接下來(lái)的刻蝕制程(晶元邊上刻蝕相對(duì)中心較慢)之后，會(huì)導(dǎo)致晶元邊上比中心的關(guān)鍵尺寸偏小3納米左右。晶元中心和邊上在刻蝕之后的關(guān)鍵尺寸差值(3納米左右)直接影響到了金屬導(dǎo)線電阻值、良率以及可靠性。

實(shí)用新型內(nèi)容

本實(shí)用新型所要解決的技術(shù)問(wèn)題是提供一種改進(jìn)的晶元掩膜層沉積用噴氣盤(pán)，使用該改進(jìn)的噴氣盤(pán)其可降低晶元邊上掩膜層碳的厚度，提高刻蝕之后關(guān)鍵尺寸的均勻度，最終使產(chǎn)品的良率和可靠性得到提高。

本實(shí)用新型解決上述技術(shù)問(wèn)題的技術(shù)方案如下：一種改進(jìn)的晶元掩膜層沉積用噴氣盤(pán)，所述噴氣盤(pán)的工作面板包括中部圓形區(qū)域和邊緣的環(huán)形區(qū)域，所述圓形區(qū)域上均勻密布有若干大噴氣孔，所述環(huán)形區(qū)域上均勻密布有若干小噴氣孔，所述環(huán)形區(qū)域的面積為圓形區(qū)域面積的45％-60％，所述小噴氣孔的孔徑為所述大噴氣孔孔徑的20％-40％。其中大噴氣孔的孔徑和形狀與現(xiàn)有使用的噴氣盤(pán)上的噴氣孔保持一致，小噴氣孔按照上述比例對(duì)大噴氣孔進(jìn)行縮小制得，即小噴氣孔與大噴氣孔形狀相似，只是孔徑較小。圓形區(qū)域與環(huán)形區(qū)域的分界線為所有最外側(cè)大噴氣孔相內(nèi)切的圓周。

在上述技術(shù)方案的基礎(chǔ)上，本實(shí)用新型還可以做如下改進(jìn)。

進(jìn)一步，所述圓形區(qū)域和環(huán)形區(qū)域共平面且共圓心。

進(jìn)一步，所述圓形區(qū)域上的大噴氣孔及所述環(huán)形區(qū)域上的小噴氣孔均呈圓形陣列分布。

進(jìn)一步，所述圓形區(qū)域的半徑為120mm,所述環(huán)形區(qū)域外圓的半徑為150mm。

進(jìn)一步，所述環(huán)形區(qū)域面積為圓形區(qū)域面積的56.25％。

進(jìn)一步，所述小噴氣孔的孔徑為所述大噴氣孔孔徑的30％。

進(jìn)一步，所述噴氣盤(pán)的工作面板由中部的所述圓形區(qū)域和邊緣的所述環(huán)形區(qū)域一體成型制成。

本實(shí)用新型的有益效果是：通過(guò)縮小噴氣盤(pán)邊緣一定區(qū)域(即所述環(huán)形區(qū)域)上的噴氣孔的孔徑(即得到小噴氣孔)，得到改進(jìn)的晶元掩膜層沉積用噴氣盤(pán)，使用該改進(jìn)的噴氣盤(pán)制得的晶元掩膜層的邊緣區(qū)域比未改進(jìn)之前噴氣盤(pán)制得的更薄(改進(jìn)后噴氣盤(pán)制得的晶元掩膜層中間比邊緣厚70nm左右)，然后按照現(xiàn)有技術(shù)進(jìn)行刻蝕制程，晶元邊緣刻蝕之后的關(guān)鍵尺寸接近晶元中心的關(guān)鍵尺寸，改善了均勻度，最終產(chǎn)品的良率和可靠性得到提高。

附圖說(shuō)明

圖1為本實(shí)用新型提供的噴氣盤(pán)的結(jié)構(gòu)示意圖；

附圖中，各標(biāo)號(hào)所代表的部件列表如下：

1.圓形區(qū)域；2.大噴氣孔；3.環(huán)形區(qū)域；4.小噴氣孔。

具體實(shí)施方式

以下結(jié)合附圖對(duì)本實(shí)用新型的原理和特征進(jìn)行描述，所舉實(shí)例只用于解釋本實(shí)用新型，并非用于限定本實(shí)用新型的范圍。

如圖1所示，本實(shí)用新型提供一種改進(jìn)的晶元掩膜層沉積用噴氣盤(pán)，所述噴氣盤(pán)的工作面板包括中部圓形區(qū)域1和邊緣的環(huán)形區(qū)域3，所述圓形區(qū)域1上均勻密布有若干大噴氣孔2，所述環(huán)形區(qū)域3上均勻密布有若干小噴氣孔4，所述環(huán)形區(qū)域3的面積為圓形區(qū)域1面積的45％-60％，所述小噴氣孔4的孔徑為所述大噴氣孔2孔徑的20％-40％。圓形區(qū)域與環(huán)形區(qū)域的分界線為所有最外側(cè)大噴氣孔相內(nèi)切的圓周，如圖1中的虛線所示，噴氣盤(pán)實(shí)物中并無(wú)很明顯的連續(xù)界線。

在上述技術(shù)方案的基礎(chǔ)上，本實(shí)用新型還可以做如下改進(jìn)。

進(jìn)一步，所述圓形區(qū)域1和環(huán)形區(qū)域3共平面且共圓心。

進(jìn)一步，所述圓形區(qū)域1上的大噴氣孔2及所述環(huán)形區(qū)域3上的小噴氣孔4均呈圓形陣列分布。

進(jìn)一步，所述圓形區(qū)域1的半徑為120mm,所述環(huán)形區(qū)域3外圓的半徑為150mm。

進(jìn)一步，所述環(huán)形區(qū)域3面積為圓形區(qū)域1面積的56.25％。

進(jìn)一步，所述小噴氣孔4的孔徑為所述大噴氣孔2孔徑的30％。

進(jìn)一步，所述噴氣盤(pán)的工作面板通過(guò)由中部的所述圓形區(qū)域1和邊緣的所述環(huán)形區(qū)域3一體成型制成。

以上所述僅為本實(shí)用新型的較佳實(shí)施例，并不用以限制本實(shí)用新型，凡在本實(shí)用新型的精神和原則之內(nèi)，所作的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本實(shí)用新型的保護(hù)范圍之內(nèi)。