[實用新型]一種人工合成的石墨膜

有效

• 申請號: 201620112994.0
• 申請日: 2016-02-04
• 公開（公告）號: CN205380957U
• 公開（公告）日: 2016-07-13
• 發明（設計）人: 楊云勝;楊星;郭顥;蔣偉良
• 申請（專利權）人: 鎮江博昊科技有限公司
• 主分類號: B32B27/28
• 分類號: B32B27/28;B32B27/06;B32B27/16;B32B33/00
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

技術領域

本實用新型涉及一種人工合成的高純度石墨膜，適合用于各種電子產品的電路板及芯片。

背景技術

目前人工合成的石墨膜，主要應用于空間有限的電子設備中，如手機、PAD等的高功率芯片、各種電子產品的電池、無線基站等需要降溫的環境。信息產品散熱市場上，高端石墨高導熱膜的生產主要由松下等跨國公司壟斷；國產石墨高導熱膜由于性能、品質等原因，只能占領初級市場，甚至難為客戶提供整張的A級石墨高導熱膜品。

發明內容

針對以上情況，本實用新型的目的在于提供了一種新型大尺寸高純度石墨膜，該產品采用將聚乙烯亞胺膜壓合后，經過炭化爐的處理，使得聚乙烯亞胺膜的分子結構發生改變，使得材料徑向尺寸變大。

本實用新型的技術方案是通過以下方式實現的：一種人工合成的石墨膜，由上防護膜、石墨膜、下防護膜組成，石墨膜位于上防護膜和下防護膜的中間，其特征在于：所述的石墨膜由80層聚酰亞胺薄膜疊加而層。

所述的石墨膜在徑向方向逐漸變大，在厚度方向逐漸減小。

本實用新型，解決了大尺寸石墨膜在石墨化結構形成過程中一致性差的問題，產品厚度公差范圍控制在±2μm以內；密度達到2.25g/cm³左右,石墨化率可以達到74.4%。可用于空間有限的電子設備中，如手機、PAD等的高功率芯片、各種電子產品的電池、無線基站等需要降溫的環境。

附圖說明

圖1是本實用新型結構示意圖。

圖2是石墨膜的示意圖。

具體實施方式

由圖1知，一種人工合成的石墨膜，由上防護膜1、石墨膜2、下防護膜3組成，所述的上防護膜1和下防護膜3附著在石墨膜2上。

由圖2知，所述的石墨膜2是由80層聚酰亞胺薄膜疊加而層。疊層的石墨膜2放入碳化爐體內進行加熱。碳化爐將聚乙烯亞胺膜進行碳化，石墨膜2在2500℃-2800℃的炭化爐中進行炭化處理，再經過200kg/cm²機械加壓而成。石墨膜2的密度逐漸的變大，其徑向面積逐漸變大，而石墨膜2的厚度逐漸變小。直到被加熱到2800℃后，石墨膜2的密度達到2.25g/cm³左右,石墨化率可以達到74.4%。