[實用新型]一種射頻發(fā)射電路

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201620102887.X
• 申請日: 2016-02-01
• 公開（公告）號: CN205336254U
• 公開（公告）日: 2016-06-22
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 榮德礎(chǔ);劉新;蘇雁翔;萬兵;蘇筱敏;孫志斌
• 申請（專利權(quán)）人: 武漢訊康電子技術(shù)有限公司
• 主分類號: H04B1/04
• 分類號: H04B1/04
• 代理公司: 北京輕創(chuàng)知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11212
• 代理人: 陳衛(wèi)

1.一種射頻發(fā)射電路，其特征在于：包括調(diào)節(jié)電路(1)、功率放大電 路(2)和耦合輸出電路(3)，所述調(diào)節(jié)電路(1)、功率放大電路(2)和 耦合輸出電路(3)順次串聯(lián)，外部調(diào)制信號接入所述調(diào)節(jié)電路(1)，調(diào)節(jié) 電路(1)產(chǎn)生射頻信號，并將所述射頻信號與接收的調(diào)制信號調(diào)節(jié)合并成 一路射頻信號發(fā)送給功率放大電路(2)，所述功率放大電路(2)對接收的 射頻信號進行放大處理，并將處理后的射頻信號發(fā)送給耦合輸出電路(3)， 所述耦合輸出電路(3)對射頻信號進行耦合輸出。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述一種射頻發(fā)射電路，其特征在于：所述調(diào)節(jié)電 路(1)包括可預(yù)置1/N計數(shù)器芯片U1和外圍電路；

所述外圍電路包括電阻R3、電阻R4、三極管Q3、三極管Q4、晶振G1 和電容C3，所述三極管Q3的集電極與外部電源Vcc連接，基極通過所述晶 振G1與外部電源Vcc連接，且基極與集電極之間通過所述電阻R3連接，基 極還通過所述電容C3接地，發(fā)射極接地，所述三極管Q3的集電極與所述三 極管Q4的基極連接，所述三極管Q4的集電極與外部電源Vcc連接，發(fā)射極 通過所述電阻R4接地，且發(fā)射極還與所述計數(shù)器芯片U1連接，外部調(diào)制信 號接入所述計數(shù)器芯片U1。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述一種射頻發(fā)射電路，其特征在于：所述功率放 大電路(2)包括發(fā)射管Q1、發(fā)射管Q2、電阻R1和電阻R2，所述發(fā)射管Q1 的基極與外部電源Vcc連接，所述發(fā)射管Q1的集電極與所述耦合輸出電路 (3)的輸入端連接，所述發(fā)射管Q1的集電極與發(fā)射極之間并聯(lián)有所述電阻 R1，所述發(fā)射管Q2的基極與所述發(fā)射管Q1的基極連接，所述發(fā)射管Q2的 集電極與所述發(fā)射管Q1的發(fā)射極連接，所述發(fā)射管Q2的發(fā)射極與所述調(diào)節(jié) 電路(1)的輸出端連接，且所述發(fā)射管Q2的集電極與發(fā)射極之間并聯(lián)有所 述電阻R2。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述一種射頻發(fā)射電路，其特征在于：所述發(fā)射管 Q1和發(fā)射管Q2的放大倍數(shù)均不小于100。

5.根據(jù)權(quán)利要求3所述一種射頻發(fā)射電路，其特征在于：所述耦合輸 出電路(3)包括磁芯M0、初級線圈T1、次級線圈T2、電容C1和電容C2， 所述初級線圈T1和次級線圈T2均纏繞在所述磁芯M0上，且所述初級線圈 T1的一端與所述發(fā)射管Q1的集電極連接，另一端與所述次級線圈T2的一端 連接，所述次級線圈T2的另一端對外輸出經(jīng)過調(diào)節(jié)、放大和耦合后的射頻 信號，且所述次級線圈T2的兩端之間并聯(lián)有電容C1，所述初級線圈T1與所 述次級線圈T2彼此未連接的兩端之間并聯(lián)有所述電容C2。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述一種射頻發(fā)射電路，其特征在于：所述初級線 圈T1和次級線圈T2的公共端設(shè)有可滑動的抽頭，且所述初級線圈T1和次 級線圈T2的匝數(shù)比可通過調(diào)節(jié)所述抽頭的位置調(diào)節(jié)。

7.根據(jù)權(quán)利要求5所述一種射頻發(fā)射電路，其特征在于：所述磁芯M0 的直徑為15mm。

8.根據(jù)權(quán)利要求1至7任一項所述一種射頻發(fā)射電路，其特征在于： 還包括濾波電路(4)，所述濾波電路(4)串聯(lián)在所述功率放大電路(2) 和耦合輸出電路(3)之間，用于對所述功率放大電路(2)輸出的信號進行 濾波處理。