[實用新型]用于微波加熱設備的天線和微波爐

有效

• 申請號: 201620101531.4
• 申請日: 2016-02-01
• 公開（公告）號: CN205336572U
• 公開（公告）日: 2016-06-22
• 發明（設計）人: 張斐娜;劉建偉;孫寧;劉民勇;王軒;夏然;賈逾澤;欒春
• 申請（專利權）人: 廣東美的廚房電器制造有限公司;美的集團股份有限公司
• 主分類號: H05B6/72
• 分類號: H05B6/72;F24C7/02
• 代理公司: 北京潤平知識產權代理有限公司 11283
• 代理人: 黃志興;李翔

技術領域

本實用新型涉及家用電器領域，具體地，涉及一種用于微波加熱設備的天線。在此 基礎上，本實用新型還涉及具有所述天線的微波爐。

背景技術

微波爐是現代社會中常見的烹調灶具之一，其基本原理是利用天線將微波源(又 稱“微波發生器”)產生的微波傳輸至加熱室(即烹調腔)內，并在該加熱室內建立微波場，以 使得食物中的極性分子(如水、脂肪、蛋白質等)的取向隨微波場快速變動，這種變動使得相 鄰分子間相互作用，產生類似摩擦的效果，從而加熱食物。通過這種加熱原理，微波爐能夠 均勻、快速地烹調食物，因而得到廣泛應用。

根據微波源的不同，微波爐又可以分為磁控管微波爐和半導體微波爐。其中，磁控 管微波爐以其能夠容易地獲得大功率微波而在傳統技術中得到長足發展。而半導體微波爐 利用半導體微波發生器產生微波，功率較低。據相關文獻記載，半導體器件在獲得微波大功 率方面與磁控管相比至少相差三個數量級。因而盡管半導體微波爐具有結構簡單、安全性 高、成本低等優點，但微波在加熱領域使用仍被預測為將主要是磁控管微波爐。另外，由于 微波源工作機理和產生微波功率方面的巨大差異，使得在半導體微波爐的技術發展中難以 直接轉用磁控管微波爐中的部件和技術，而需進行針對性、適應性的精細化設計。這是因 為，磁控管作為自振蕩真空器件，外圍匹配結構和環境需要與磁控管構成為整體設計，結構 和尺寸上的微小變化即會影響磁控管的功率輸出；而半導體微波源為用于將小信號微波放 大的器件，與磁控管在結構、原理、性能和效果等各方面均完全不同，二者的設計準則不同， 導致二者之間的技術轉用幾乎不具有可行性。

在中國發明專利CN102767854B中公開的微波爐中，為了克服微波功率低的技術問 題，設置了兩個或兩個以上半導體微波發生器，并通過各自對應的天線傳輸微波。盡管其通 過改進波導盒結構適當簡化了上述技術改進所帶來了結構復雜、體積較大的問題，但該微 波爐的結構仍較為復雜(包含兩個電源、兩個半導體微波發生器等)，且不可避免地存在微 波相互影響的問題。另外，這種設置實質上是將產能效率較高的磁控式微波源變為多個產 能效率較低的半導體式微波源，相比傳統磁控式微波爐僅能提高安全性，對于節約能源、降 低成本并不起到顯著效果，甚至可能導致成本不降反升的后果。

有鑒于此，有必要對上述現有技術進行改進，以解決其中存在的問題。

實用新型內容

本實用新型實際要解決的技術問題是如何降低微波加熱設備(如微波爐)的能耗 并使其結構簡化。

為了解決上述技術問題，本實用新型的一個方面提供一種用于微波加熱設備的天 線，該天線包括天線桿，該天線桿具有用于連接所述微波加熱設備的微波源的饋入端和用 于向所述微波加熱設備的加熱室發射微波的發射端，且該天線桿沿從所述饋入端向所述發 射端的方向外擴延伸，以使所述發射端的端面面積大于所述饋入端的端面面積。

優選地，所述天線桿具有位于靠近所述饋入端一側的饋入段、靠近所述發射端一 側的發射段以及位于所述饋入段與該發射段之間過渡段，其中，所述饋入段和所述發射段 的橫截面積大小各自不變。

優選地，所述饋入段和所述發射段分別具有圓柱形結構，所述過渡段具有圓錐臺 形結構。

優選地，所述天線桿滿足以下至少一者：所述饋入段的直徑為2mm～4mm，長度為 8mm～14mm；所述發射段的直徑為4mm～7mm，長度為5mm～9mm；所述過渡段的錐度為1:7～1: 3。

優選地，所述天線還包括與所述天線桿彼此絕緣設置的接地板，該接地板形成有 用于微波傳輸路徑穿過的內孔并與所述加熱室共地。

本實用新型的另一個方面還提供一種微波爐，該微波爐具有本實用新型提供的上 述天線、用作所述微波源的半導體微波發生器以及用作所述加熱室的烹調腔室，所述天線 桿的所述饋入端連接于所述半導體微波發生器的功率輸出端，以能夠從所述發射端向所述 烹調腔室內傳輸微波。

優選地，所述天線還包括與所述天線桿彼此絕緣設置的接地板，該接地板形成有 用于微波傳輸路徑穿過的內孔并與所述烹調腔室共地。

優選地，所述接地板連接于所述半導體微波發生器的外殼或基座。

優選地，所述接地板通過成對設置的射頻連接器的外導體連接于所述半導體微波 發生器的外殼或基座，所述天線桿的所述饋入端通過所述射頻連接器的內導體連接于所述 半導體微波發生器的功率輸出端。