[實用新型]不干擾TDD-LTE基站上行信號的手機信號屏蔽器

有效

• 申請號: 201620088704.3
• 申請日: 2016-01-28
• 公開（公告）號: CN205356362U
• 公開（公告）日: 2016-06-29
• 發明（設計）人: 翟明圣;黃龍坦;唐義祥;劉永將
• 申請（專利權）人: 南京柏康機電科技有限公司
• 主分類號: H04K3/00
• 分類號: H04K3/00
• 代理公司: 北京中濟緯天專利代理有限公司 11429
• 代理人: 王菊花

1.一種不干擾TDD-LTE基站上行信號的手機信號屏蔽器，其特征在于，該手機信號屏蔽器包括：天線、TDD-LTE基站下行功率檢波模塊、微處理器、場強檢測模塊、網絡通訊模塊、數控開關、屏蔽器電源以及至少一個屏蔽模塊，其中：

所述TDD-LTE基站下行功率檢波模塊設置在天線與微處理器之間，由天線接收到的TDD-LTE基站下行信號經由該TDD-LTE基站下行功率檢波模塊檢測后轉換成方波信號，再傳輸至微處理器；

微處理器接收TDD-LTE基站下行功率檢波模塊傳輸的方波信號進行采樣分析，并基于TDD-LTE協議匹配結果發送控制信號至數控開關；

所述數控開關連接至所述微處理器，用于根據微處理器輸出的控制信號通過對屏蔽模塊電源的控制來實現屏蔽模塊的開啟和關斷控制；

所述場強檢測模塊連接至所述微處理器，基于微處理器接收到的方波信號進行場強檢測，輸出TDD-LTE基站下行信號的場強信息；

所述網絡通訊模塊與所述微處理器連接，提供微處理器與外部的計算處理設備之間的通訊接口。

2.根據權利要求1所述的不干擾TDD-LTE基站上行信號的手機信號屏蔽器，其特征在于，所述數控開關為場效應管，該場效應管設置在微處理器與屏蔽模塊電源之間，并可由微處理器控制而控制屏蔽模塊的開啟和關斷。

3.根據權利要求1所述的不干擾TDD-LTE基站上行信號的手機信號屏蔽器，其特征在于，所述數控開關為射頻單刀雙擲開關。

4.根據權利要求1所述的不干擾TDD-LTE基站上行信號的手機信號屏蔽器，其特征在于，所述TDD-LTE基站下行功率檢波模塊采用型號為AD8314的射頻功率檢波器，其工作頻率范圍為100MHz至2.7GHz。

5.根據權利要求1所述的不干擾TDD-LTE基站上行信號的手機信號屏蔽器，其特征在于，所述微處理器采用型號為STM32F373CCT6的微控制器。

6.根據權利要求1所述的不干擾TDD-LTE基站上行信號的手機信號屏蔽器，其特征在于，所述網絡通訊模塊采用網絡控制器和網線接口構成，其中網絡控制器采用ENC28J60芯片，使用HR911105A網絡插座變壓器作為網線接口。

7.根據權利要求1所述的不干擾TDD-LTE基站上行信號的手機信號屏蔽器，其特征在于，還包括微處理器電源，與所述微處理器連接用于為微處理器供電。