[實用新型]氣流控制裝置有效
| 申請號: | 201620085717.5 | 申請日: | 2016-01-28 |
| 公開(公告)號: | CN205319132U | 公開(公告)日: | 2016-06-15 |
| 發明(設計)人: | 朱琨;鐘立華;王冰;陳亮;王石 | 申請(專利權)人: | 昆山國顯光電有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67 |
| 代理公司: | 北京匯思誠業知識產權代理有限公司 11444 | 代理人: | 王剛;龔敏 |
| 地址: | 215300 江蘇省*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 氣流 控制 裝置 | ||
技術領域
本實用新型涉及半導體制造技術領域,尤其涉及一種氣流控制裝置。
背景技術
六甲基二硅胺烷(HexMethyDiSilylamine,簡稱HMDS)是半導體光刻工 藝中一種常用的耗材。一般在光刻工藝中,在基板上涂布光刻膠之前,先在 基板上均勻涂布一層氣態形式的HMDS,用以增大光刻膠與基板表面之間的 粘合度。
相關技術中,HMDS直接從氣流控制裝置的管路出口垂直沉積到出口的 正下方的基板表面,然后通過表面擴散方式,擴散到基板表面的其他位置, 進而完成HMDS的涂布。因此,位于管路出口正前方的光刻膠區域被稱之為 沉積區域,而通過表面擴散方式所形成的光刻膠區域被稱之為擴散區域。
但是,相關技術中,HMDS垂直沉積到基板表面后,由于HMDS氣體被 加壓后從氣流控制裝置的管路出口直接附著在基板上,HMDS氣體在壓力和 重力的作用下,會與基板之間形成較大的接觸力,從而很容易附著在基板上, 而HMDS氣體向其它區域擴散后,這些擴散后的HMDS氣體僅在重力的作 用下堆積在基板表面,因此與基板的接觸力較小,從而不易附著在基板上。 這就導致在涂布光刻膠后,處于擴散區域內的光刻膠與基板的粘合度較低, 使光刻膠易從基板上剝離。
實用新型內容
本實用新型提供一種氣流控制裝置,以實現減少整個基板的表面上 HMDS氣體的擴散區,使HMDS氣體噴向基板的表面時,與基板的表面有足 夠的接觸力,從而很容易附著在基板上,進而實現了在該基板涂布光刻膠時, 增強光刻膠與基板的粘合度,使光刻膠不易從基板上剝離。
本實用新型提供一種氣流控制裝置,包括氣體輸送構件和噴頭;所述噴 頭包括腔體和多個噴嘴;
所述腔體上設置有進口端,所述氣體輸送構件上設置有出口端,所述進 口端與所述出口端連通,所述噴嘴設置在所述腔體的外殼上遠離所述進口端 的一側,且均與所述腔體相通,每個所述噴嘴與所述出口端的軸心線均呈 0-90°的夾角設置,且所有所述噴嘴將氣體噴射在基板平面的面積大于所述出 口端在所述平面的投影面積。
進一步可選地,上述所述的氣流控制裝置中,多個所述噴嘴圍繞所述軸 心線呈多層環形分布。
進一步可選地,上述所述的氣流控制裝置中,每層所述噴嘴與所述軸心 線之間的夾角均相等。
進一步可選地,上述所述的氣流控制裝置中,每層所述噴嘴與所述軸心 線之間的夾角由內至外依次增大。
進一步可選地,上述所述的氣流控制裝置中,所述腔體的外殼上遠離所 述進口端的一側呈弧面,且所述軸心線穿過所述弧面的中心。
進一步可選地,上述所述的氣流控制裝置中,所述噴頭沿所述軸心線的 方向的截面呈扇形形狀。
進一步可選地,上述所述的氣流控制裝置中,所述噴頭還包括擋片和支 撐桿,所述支撐桿的一端與所述擋片連接;所述支撐桿的另一端固定設置;
所述擋片設置在所述腔體內部,當所述擋片與所述出口端投影于同一基 板平面時,所述擋片的投影區域位于所述出口端的投影區域的中部。
進一步可選地,上述所述的氣流控制裝置中,所述氣流控制裝置還包括 調節構件;所述支撐桿遠離所述擋片的一端設有螺紋;所述調節構件包括與 所述支撐桿螺紋連接的螺母和開孔;
所述氣體輸送構件包括蓋板和氣體輸送通道,所述氣體輸送通道設置在 所述蓋板內部,所述出口端設置在所述蓋板的底部,所述開孔設置在所述蓋 板背離所述出口端的一側,且與所述軸心線共軸設置;
所述支撐桿遠離所述擋片的一端由所述氣體輸送通道穿過所述開孔,并 與所述螺母螺紋配合。
進一步可選地,上述所述的氣流控制裝置中,所述調節構件還包括密封 墊片,所述密封墊片套設在所述支撐桿上,且位于所述螺母與所述蓋板的外 壁之間。
進一步可選地,上述所述的氣流控制裝置中,所述噴頭與所述蓋板分開 設置或者為一體化結構。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于昆山國顯光電有限公司,未經昆山國顯光電有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201620085717.5/2.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇:用于覆銅陶瓷基板燒結的防錯位裝置
- 下一篇:一種電磁滅弧熔斷器
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





