[實(shí)用新型]一種快速檢測(cè)多晶硅料生長(zhǎng)異常的裝置

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201620070754.9
• 申請(qǐng)日: 2016-01-25
• 公開（公告）號(hào): CN205353300U
• 公開（公告）日: 2016-06-29
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 熊艷榮;鐘德京;劉存健
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 江西賽維LDK太陽(yáng)能高科技有限公司
• 主分類號(hào): G01R31/26
• 分類號(hào): G01R31/26;G01R19/165;G01R27/02
• 代理公司: 廣州三環(huán)專利代理有限公司 44202
• 代理人: 郝傳鑫;熊永強(qiáng)

技術(shù)領(lǐng)域

本實(shí)用新型涉及半導(dǎo)體測(cè)試器材技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種快速檢測(cè)多晶硅料生長(zhǎng)異常的裝置。

背景技術(shù)

在光伏行業(yè)中，半導(dǎo)體的電阻率是反映其導(dǎo)電性能的重要參數(shù)，不同類型、不同型號(hào)的半導(dǎo)體器件要求采用不同電阻率的硅材料制成，硅料的測(cè)試結(jié)果直接影響產(chǎn)品的性能和價(jià)值。而本行業(yè)內(nèi)采用的硅料多為西門子法所生產(chǎn)，當(dāng)某一區(qū)域出現(xiàn)異常的高濃度硼、磷等元素時(shí)，該異常生長(zhǎng)區(qū)的電阻率較低，則該硅料不能用于鑄造硅碇，否則會(huì)造成嚴(yán)重的經(jīng)濟(jì)損失。

目前行業(yè)內(nèi)對(duì)硅料的檢測(cè)多采用套棒區(qū)熔的方式對(duì)多晶硅料進(jìn)行檢測(cè)，檢測(cè)成本高、周期長(zhǎng)，且套棒未取到硅料生長(zhǎng)異常區(qū)域的概率很大，導(dǎo)致測(cè)試結(jié)果失真，極大影響后續(xù)硅錠的出材率；該行業(yè)內(nèi)也有采用以“四針探法”原理為基礎(chǔ)而開發(fā)出的設(shè)備，但此類設(shè)備在使用中要求在樣品測(cè)試的表面事先采用金剛砂噴射成測(cè)量道，且要求使用者必須經(jīng)過(guò)高標(biāo)準(zhǔn)的技術(shù)培訓(xùn)，同時(shí)檢測(cè)效率低，它檢測(cè)一個(gè)點(diǎn)需5分鐘左右，而每個(gè)多晶硅片的檢測(cè)點(diǎn)最少需5個(gè)(這樣，才能保證產(chǎn)品的高質(zhì)量)，所以，每個(gè)多晶硅片至少需25分鐘才能檢測(cè)好，該速度遠(yuǎn)遠(yuǎn)不能滿足現(xiàn)有企業(yè)的需求。

實(shí)用新型內(nèi)容

有鑒于此，本實(shí)用新型針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)存在之缺失，其主要目的是提供一種能快速檢測(cè)多晶硅料生長(zhǎng)異常的裝置，提高檢測(cè)效率和準(zhǔn)確率，滿足工業(yè)化的硅料檢測(cè)需要。

為實(shí)現(xiàn)上述目的，本實(shí)用新型提供一種快速檢測(cè)多晶硅料生長(zhǎng)異常的裝置，所述裝置包括主控板以及外設(shè)在所述主控板的第一電阻筆、第二電阻筆、顯示器和報(bào)警器，其中，所述主控板內(nèi)部設(shè)有第一轉(zhuǎn)換器、第二轉(zhuǎn)換器和控制器，所述第一電阻筆的信號(hào)輸出端連接至所述第一轉(zhuǎn)換器的第一輸入端，所述第一轉(zhuǎn)換器的第一輸出端連接至所述控制器的輸入端，所述控制器的第一輸出端連接至所述報(bào)警器的輸入端，所述控制器的第二輸出端連接至所述第一轉(zhuǎn)換器的第二輸入端，所述第一轉(zhuǎn)換器的第二輸出端連接至所述第二轉(zhuǎn)換器的第一輸入端，所述第二轉(zhuǎn)換器的輸出端連接至所述顯示器的輸入端，所述第二電阻筆的信號(hào)輸出端連接至所述第二轉(zhuǎn)換器的第二輸入端，其中：

使用所述第一電阻筆的測(cè)試端接觸待測(cè)多晶硅料時(shí)，所述第一電阻筆產(chǎn)生第一電流信號(hào)并將所述第一電流信號(hào)輸出至所述第一轉(zhuǎn)換器，所述第一轉(zhuǎn)換器將所述第一電流信號(hào)轉(zhuǎn)換成渦流信號(hào)，并將所述渦流信號(hào)通過(guò)所述第一轉(zhuǎn)換器的第一輸出端輸出至所述控制器，其中，所述第一電阻筆為高阻筆；

當(dāng)所述控制器判斷接收的所述渦流信號(hào)小于預(yù)設(shè)值時(shí)，所述控制器輸出報(bào)警控制信號(hào)至所述報(bào)警器以控制所述報(bào)警器報(bào)警，提示待測(cè)硅料為生長(zhǎng)異常的多晶硅料；當(dāng)所述控制器判斷接收的所述渦流信號(hào)大于或等于所述預(yù)設(shè)值時(shí)，所述控制器發(fā)送輸出控制信號(hào)至所述第一轉(zhuǎn)換器的第二輸入端，以控制所述第一轉(zhuǎn)換器將所述第一電流信號(hào)輸出至所述第二轉(zhuǎn)換器的第一輸入端，所述第二轉(zhuǎn)換器將所述第一電流信號(hào)轉(zhuǎn)成第一電阻率信號(hào)，并將所述第一電阻率信號(hào)輸出至所述顯示器并顯示；

在所述報(bào)警器報(bào)警之后，使用所述第二電阻筆的測(cè)試端接觸所述待測(cè)多晶硅料，所述第二電阻筆產(chǎn)生第二電流信號(hào)，并將所述第二電流信號(hào)輸出至所述第二轉(zhuǎn)換器，所述第二轉(zhuǎn)換器將所述第二電流信號(hào)轉(zhuǎn)成第二電阻率信號(hào)，并將所述第二電阻率信號(hào)輸出至所述顯示器并顯示，其中，所述第二電阻筆為低阻筆。

其中，所述第一電阻筆的內(nèi)設(shè)電流為125-135MHz，內(nèi)設(shè)電壓小于50mV。

其中，所述第二電阻筆的內(nèi)設(shè)電流為50-125MHz，內(nèi)設(shè)電壓大于或等于50mV。

其中，所述第一電阻筆和所述第二電阻筆的測(cè)試端的材質(zhì)為碳化鎢或金銅合金。

其中，所述第一電阻筆還包括筆桿，所述筆桿位于其測(cè)試端和信號(hào)輸出端之間，所述筆桿的材質(zhì)為黃銅。

其中，所述第二電阻筆還包括筆桿，所述筆桿位于其測(cè)試端和信號(hào)輸出端之間，所述筆桿的材質(zhì)為黃銅。

其中，所述預(yù)設(shè)值為0.5-30Ω·cm的電阻率所對(duì)應(yīng)的渦流信號(hào)。

其中，所述控制器為單片機(jī)。

其中，所述報(bào)警器包括蜂鳴器和LED指示燈中的一種或多種。