[實用新型]一種快速檢測多晶硅料生長異常的裝置

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201620070754.9
• 申請日: 2016-01-25
• 公開（公告）號: CN205353300U
• 公開（公告）日: 2016-06-29
• 發(fā)明（設計）人: 熊艷榮;鐘德京;劉存健
• 申請（專利權）人: 江西賽維LDK太陽能高科技有限公司
• 主分類號: G01R31/26
• 分類號: G01R31/26;G01R19/165;G01R27/02
• 代理公司: 廣州三環(huán)專利代理有限公司 44202
• 代理人: 郝傳鑫;熊永強

技術領域

本實用新型涉及半導體測試器材技術領域，尤其涉及一種快速檢測多晶硅料生長異常的裝置。

背景技術

在光伏行業(yè)中，半導體的電阻率是反映其導電性能的重要參數(shù)，不同類型、不同型號的半導體器件要求采用不同電阻率的硅材料制成，硅料的測試結果直接影響產品的性能和價值。而本行業(yè)內采用的硅料多為西門子法所生產，當某一區(qū)域出現(xiàn)異常的高濃度硼、磷等元素時，該異常生長區(qū)的電阻率較低，則該硅料不能用于鑄造硅碇，否則會造成嚴重的經(jīng)濟損失。

目前行業(yè)內對硅料的檢測多采用套棒區(qū)熔的方式對多晶硅料進行檢測，檢測成本高、周期長，且套棒未取到硅料生長異常區(qū)域的概率很大，導致測試結果失真，極大影響后續(xù)硅錠的出材率；該行業(yè)內也有采用以“四針探法”原理為基礎而開發(fā)出的設備，但此類設備在使用中要求在樣品測試的表面事先采用金剛砂噴射成測量道，且要求使用者必須經(jīng)過高標準的技術培訓，同時檢測效率低，它檢測一個點需5分鐘左右，而每個多晶硅片的檢測點最少需5個(這樣，才能保證產品的高質量)，所以，每個多晶硅片至少需25分鐘才能檢測好，該速度遠遠不能滿足現(xiàn)有企業(yè)的需求。

實用新型內容

有鑒于此，本實用新型針對現(xiàn)有技術存在之缺失，其主要目的是提供一種能快速檢測多晶硅料生長異常的裝置，提高檢測效率和準確率，滿足工業(yè)化的硅料檢測需要。

為實現(xiàn)上述目的，本實用新型提供一種快速檢測多晶硅料生長異常的裝置，所述裝置包括主控板以及外設在所述主控板的第一電阻筆、第二電阻筆、顯示器和報警器，其中，所述主控板內部設有第一轉換器、第二轉換器和控制器，所述第一電阻筆的信號輸出端連接至所述第一轉換器的第一輸入端，所述第一轉換器的第一輸出端連接至所述控制器的輸入端，所述控制器的第一輸出端連接至所述報警器的輸入端，所述控制器的第二輸出端連接至所述第一轉換器的第二輸入端，所述第一轉換器的第二輸出端連接至所述第二轉換器的第一輸入端，所述第二轉換器的輸出端連接至所述顯示器的輸入端，所述第二電阻筆的信號輸出端連接至所述第二轉換器的第二輸入端，其中：

使用所述第一電阻筆的測試端接觸待測多晶硅料時，所述第一電阻筆產生第一電流信號并將所述第一電流信號輸出至所述第一轉換器，所述第一轉換器將所述第一電流信號轉換成渦流信號，并將所述渦流信號通過所述第一轉換器的第一輸出端輸出至所述控制器，其中，所述第一電阻筆為高阻筆；

當所述控制器判斷接收的所述渦流信號小于預設值時，所述控制器輸出報警控制信號至所述報警器以控制所述報警器報警，提示待測硅料為生長異常的多晶硅料；當所述控制器判斷接收的所述渦流信號大于或等于所述預設值時，所述控制器發(fā)送輸出控制信號至所述第一轉換器的第二輸入端，以控制所述第一轉換器將所述第一電流信號輸出至所述第二轉換器的第一輸入端，所述第二轉換器將所述第一電流信號轉成第一電阻率信號，并將所述第一電阻率信號輸出至所述顯示器并顯示；

在所述報警器報警之后，使用所述第二電阻筆的測試端接觸所述待測多晶硅料，所述第二電阻筆產生第二電流信號，并將所述第二電流信號輸出至所述第二轉換器，所述第二轉換器將所述第二電流信號轉成第二電阻率信號，并將所述第二電阻率信號輸出至所述顯示器并顯示，其中，所述第二電阻筆為低阻筆。

其中，所述第一電阻筆的內設電流為125-135MHz，內設電壓小于50mV。

其中，所述第二電阻筆的內設電流為50-125MHz，內設電壓大于或等于50mV。

其中，所述第一電阻筆和所述第二電阻筆的測試端的材質為碳化鎢或金銅合金。

其中，所述第一電阻筆還包括筆桿，所述筆桿位于其測試端和信號輸出端之間，所述筆桿的材質為黃銅。

其中，所述第二電阻筆還包括筆桿，所述筆桿位于其測試端和信號輸出端之間，所述筆桿的材質為黃銅。

其中，所述預設值為0.5-30Ω·cm的電阻率所對應的渦流信號。

其中，所述控制器為單片機。

其中，所述報警器包括蜂鳴器和LED指示燈中的一種或多種。