[實用新型]一種W形半導體發光器件有效

申請號：	201620070592.9	申請日：	2016-01-26
公開（公告）號：	CN205335285U	公開（公告）日：	2016-06-22
發明（設計）人：	牛寶	申請（專利權）人：	河北易貝信息技術有限公司
主分類號：	H01L33/24	分類號：	H01L33/24;H01L33/32;H01L33/06
代理公司：	暫無信息	代理人：	暫無信息
地址：	065500 河北***	國省代碼：	河北;13
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摘要：
搜索關鍵詞：	一種半導體發光器件
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【權利要求書】：

1.一種W形半導體發光器件，其特征在于：在基材上形成的多個相鄰V形溝槽，基材為硅襯底，緩沖層成型在基材的表面及V形溝槽上，下化合物層成型在緩沖層上，量子阱層成型在下化合物層上，上化合物層成型在量子阱層上，量子阱層可以在下化合物層和上化合物層之間形成量子阱電載波，保護層覆蓋V形溝槽，不覆蓋上電極和下電極，上化合物層上成型有電流擴散層，歐姆接觸層覆蓋于電流擴散層上，歐姆接觸層上成型透明導電層，上電極連接于上化合物層邊緣，下電極形成于下化合物層邊緣。

2.如權利要求1所述的一種W形半導體發光器件，其特征在于：下化合物層的材質是n型半導體，而上化合物層的材質是p型半導體。

3.如權利要求1所述的一種W形半導體發光器件，其特征在于：基材可由硅、氧化硅或者玻璃制成。

4.如權利要求1所述的一種W形半導體發光器件，其特征在于：量子阱層厚度在5到200埃的范圍內。

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