[實用新型]一種硅通孔的電遷移測試結構有效
| 申請號： | 201620067522.8 | 申請日： | 2016-01-22 |
| 公開（公告）號： | CN205376516U | 公開（公告）日： | 2016-07-06 |
| 發明（設計）人： | 陳芳 | 申請（專利權）人： | 中芯國際集成電路制造（北京）有限公司;中芯國際集成電路制造（上海）有限公司 |
| 主分類號： | H01L23/544 | 分類號： | H01L23/544;G01R31/26 |
| 代理公司： | 上海光華專利事務所 31219 | 代理人： | 余明偉 |
| 地址： | 100176 北京市大興*** | 國省代碼： | 北京;11 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 硅通孔 遷移 測試 結構 | ||
1.一種硅通孔的電遷移測試結構，其特征在于，所述硅通孔的電遷移測試結構至少包括：
通過第一底層金屬連接的第一硅通孔及第二硅通孔，所述第一硅通孔及所述第二硅通孔的上端分別連接第一測試端及第二測試端，所述第一硅通孔、所述第二硅通孔及所述第一底層金屬的周圍設置一溫度傳感器，以對所述第一硅通孔、所述第二硅通孔及所述第一底層金屬通電后的溫度進行檢測。
2.根據權利要求1所述的硅通孔的電遷移測試結構，其特征在于：所述溫度傳感器包括第二底層金屬、多晶硅層、第三硅通孔、第四硅通孔、第三測試端以及第四測試端；所述第二底層金屬包圍于所述第一底層金屬的四周，與所述第一底層金屬位于同一金屬層；所述多晶硅層位于所述第二底層金屬的上方，通過通孔與所述第二底層金屬連接，并覆蓋于所述第一底層金屬上方；所述第三硅通孔的一端連接所述第二底層金屬，另一端連接所述第三測試端；所述第四硅通孔的一端連接所述第二底層金屬，另一端連接所述第四測試端。
3.根據權利要求2所述的硅通孔的電遷移測試結構，其特征在于：所述第一底層金屬及所述第二底層金屬的材質為Cu或Al。
4.根據權利要求1或2所述的硅通孔的電遷移測試結構，其特征在于：所述測試端包括電壓測試端和電流測試端。
5.根據權利要求1或2所述的硅通孔的電遷移測試結構，其特征在于：各測試端平行設置。
6.根據權利要求1或2所述的硅通孔的電遷移測試結構，其特征在于：各硅通孔中填充的材質為Cu或Al。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于中芯國際集成電路制造（北京）有限公司;中芯國際集成電路制造（上海）有限公司，未經中芯國際集成電路制造（北京）有限公司;中芯國際集成電路制造（上海）有限公司許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201620067522.8/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇：一種多芯片單搭混裝平鋪夾芯封裝結構
- 下一篇：U盤記憶體IC芯片密距封裝
