[實(shí)用新型]一種金屬有機(jī)物化學(xué)氣相沉積設(shè)備的中央支柱

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201620066576.2
• 申請(qǐng)日: 2016-01-23
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN205313665U
• 公開(kāi)（公告）日: 2016-06-15
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 馮雅清
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 馮雅清
• 主分類號(hào): C23C16/455
• 分類號(hào): C23C16/455;C23C16/18
• 代理公司: 上海伯瑞杰知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 31227
• 代理人: 唐燕潔

技術(shù)領(lǐng)域

本實(shí)用新型涉及半導(dǎo)體設(shè)備制造技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種金屬有機(jī)物化學(xué)氣相沉積設(shè)備的中央支柱。

背景技術(shù)

隨著半導(dǎo)體發(fā)光芯片發(fā)光效率的提升和制造成本的下降，半導(dǎo)體發(fā)光芯片已被廣泛應(yīng)用于背光、顯示和照明等領(lǐng)域。

MOCVD是適合生長(zhǎng)半導(dǎo)體照明用LED材料外延片的良好技術(shù)，也是一種工業(yè)化的經(jīng)濟(jì)實(shí)用技術(shù)，其生長(zhǎng)原理是：在一塊加熱適當(dāng)溫度的襯底上，含有III和V族元素的氣態(tài)化合物有控制的輸送到襯底表面，生長(zhǎng)出有特定組分、特定厚度、特定電學(xué)和光學(xué)參數(shù)的薄膜沉積材料?？梢?jiàn)，反應(yīng)腔是裝個(gè)MOCVD設(shè)備最核心的部分，也是LED生長(zhǎng)整個(gè)過(guò)程的環(huán)境保證。

在整個(gè)過(guò)程中，反應(yīng)腔需要提供真空超高溫的生長(zhǎng)條件(500-1200℃)，當(dāng)反應(yīng)腔尺寸不斷增加以降低生長(zhǎng)成本的時(shí)候，用不銹鋼制成的反應(yīng)腔頂蓋會(huì)產(chǎn)生形變。形變的產(chǎn)生不僅影響了反應(yīng)腔頂蓋的壽命，尤其對(duì)其內(nèi)部的水槽密封產(chǎn)生較大影響；另外，由于形變使反應(yīng)腔和載盤(pán)的距離、空間形狀均發(fā)生了變化，繼而影響反應(yīng)腔氣相反應(yīng)的條件，不僅會(huì)影響生長(zhǎng)物的質(zhì)量，也會(huì)影響其均勻性，這在量產(chǎn)化的過(guò)程中幾乎是致命的。顯而易見(jiàn)，常見(jiàn)的MOCVD反應(yīng)腔結(jié)構(gòu)，如圖1所示，中國(guó)專利ZL201020546826.5公開(kāi)的一種金屬有機(jī)物化學(xué)氣相沉積設(shè)備的中央支柱，就存在前述幾種本質(zhì)缺陷。

實(shí)用新型內(nèi)容

本實(shí)用新型的目的在于針對(duì)上述問(wèn)題，提供了一種金屬有機(jī)物化學(xué)氣相沉積設(shè)備的中央支柱，能夠顯著改善反應(yīng)腔頂蓋的抗形變能力。

本實(shí)用新型的目的是這樣實(shí)現(xiàn)的：

一種金屬有機(jī)物化學(xué)氣相沉積設(shè)備的中央支柱，包括中央支柱體、導(dǎo)流螺桿、O型圈、反應(yīng)腔頂蓋、進(jìn)水管、出水管、上蓋、排氣窗和反應(yīng)腔底座，其特征在于，所述中央支柱體外套有隔熱外套。

其中，所述隔熱外套與中央支柱體之間留有間隙，該間隙為0.1mm-2mm之間。

其中，所述隔熱外套的底部抵接于反應(yīng)腔底座，其頂部與反應(yīng)腔頂蓋之間留有間隙。

其中，所述隔熱外套由耐高溫耐腐蝕的無(wú)機(jī)或金屬材料制成。

其中，所述隔熱外套的壁厚為0.5mm-5mm之間。

本實(shí)用新型的有益效果為：通過(guò)在中央支柱體外增加隔熱外套，減少反應(yīng)腔內(nèi)高熱氣流對(duì)中央支柱體的加熱效應(yīng)，減小中央支柱體的形變以及高熱反應(yīng)氣體對(duì)中央支柱體表面的刻蝕，以達(dá)到延長(zhǎng)中央支柱的使用壽命。

附圖說(shuō)明

圖1為現(xiàn)有金屬有機(jī)物化學(xué)氣相沉積設(shè)備的中央支柱的結(jié)構(gòu)圖。

圖2為本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)圖。

具體實(shí)施方式

下面結(jié)合具體實(shí)施例和附圖，進(jìn)一步闡述本實(shí)用新型。

如圖1所示，為中國(guó)專利ZL201020546826.5公開(kāi)的現(xiàn)有金屬有機(jī)物化學(xué)氣相沉積設(shè)備的中央支柱，主要包括中央支柱體1、導(dǎo)流螺桿2、O型圈3、反應(yīng)腔頂蓋4、進(jìn)水管5、出水管6、上蓋7、排氣窗8和反應(yīng)腔底座10。

由于中央支柱體1也處于MOCVD反應(yīng)腔之內(nèi)，也需要承受真空超高溫的環(huán)境以及反應(yīng)氣體對(duì)其表面的刻蝕。

為了避免高溫反應(yīng)氣體對(duì)中央支柱體1的加熱與刻蝕，本實(shí)用新型在前述現(xiàn)有金屬有機(jī)物化學(xué)氣相沉積設(shè)備的中央支柱的基礎(chǔ)上做了改進(jìn)，如圖2所示，具體為在中央支柱體1外套有一個(gè)隔熱外套9，該隔熱外套9的壁厚介于0.5mm-5mm之間，隔熱外套9與中央支柱體1之間還留有0.1mm-2mm的間隙，彼此不接觸。該隔熱外套9具體由耐高溫耐腐蝕的無(wú)機(jī)或金屬材料制成，具體可選用石英玻璃、不銹鋼、鉬、耐熱陶瓷等材料。

為了避免隔熱外套9被反應(yīng)腔頂蓋4壓到，隔熱外套9的底部抵接于反應(yīng)腔底座10，頂部則與反應(yīng)腔頂蓋10之間留有間隙。

在中央支柱體套上隔熱外套，使得反應(yīng)腔內(nèi)的反應(yīng)氣流不直接與中央支柱體接觸，不僅可以阻隔高溫反應(yīng)氣體直接接觸中央支柱體的表面，減少熱傳導(dǎo)和熱輻射對(duì)中央支柱體的加熱效應(yīng)，也可以杜絕反應(yīng)腔內(nèi)高溫活性反應(yīng)氣體對(duì)中央支柱體的刻蝕，從而減少中央支柱體在真空與高溫下的形變，保護(hù)中央支柱體不被刻蝕，延長(zhǎng)其使用壽命，確保表面氣流的平順。

以上所述僅為本實(shí)用新型的實(shí)施例，并非因此限制本實(shí)用新型的專利范圍，凡是利用本實(shí)用新型說(shuō)明書(shū)及附圖內(nèi)容所作的等效結(jié)構(gòu)或等效流程變換，或直接或間接運(yùn)用在其他相關(guān)的技術(shù)領(lǐng)域，均同理包括在本實(shí)用新型的專利保護(hù)范圍內(nèi)。