[實用新型]一種電遷移測試結構有效
| 申請號: | 201620065682.9 | 申請日: | 2016-01-22 |
| 公開(公告)號: | CN205376473U | 公開(公告)日: | 2016-07-06 |
| 發明(設計)人: | 陳芳 | 申請(專利權)人: | 中芯國際集成電路制造(北京)有限公司;中芯國際集成電路制造(上海)有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/66 | 分類號: | H01L21/66 |
| 代理公司: | 上海光華專利事務所 31219 | 代理人: | 余明偉 |
| 地址: | 100176 北京市大興*** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 遷移 測試 結構 | ||
1.一種電遷移測試結構,其特征在于,所述電遷移測試結構至少包括:
位于第一金屬層的金屬線,所述金屬線的兩端分別通過第一通孔及第二通孔連接至第二金屬層,所述第一通孔及所述第二通孔的兩端分別連接位于所述第一金屬層及所述第二金屬層中的測試端。
2.根據權利要求1所述的電遷移測試結構,其特征在于:還包括設置于所述第二金屬層上的多個依次連接于各金屬層之間的通孔,分別與所述第一通孔及所述第二通孔形成堆疊孔,最上層通孔連接位于最上層金屬層中的測試端。
3.根據權利要求1或2所述的電遷移測試結構,其特征在于:所述測試端包括電壓測試端和電流測試端。
4.根據權利要求1或2所述的電遷移測試結構,其特征在于:各測試端與所述金屬線平行設置。
5.根據權利要求1所述的電遷移測試結構,其特征在于:所述金屬線的材質為Cu或Al。
6.根據權利要求1所述的電遷移測試結構,其特征在于:所述金屬線的寬度不大于待測晶圓的最小線寬。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





