[實用新型]顯示基板、顯示面板以及顯示裝置有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201620061216.3 | 申請日: | 2016-01-21 |
| 公開(公告)號: | CN205319159U | 公開(公告)日: | 2016-06-15 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 黃磊;葉志杰;高昕偉;許凱;魏鈺;竇義坤 | 申請(專利權(quán))人: | 京東方科技集團股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L27/12;G09F9/33 |
| 代理公司: | 北京天昊聯(lián)合知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11112 | 代理人: | 汪源;陳源 |
| 地址: | 100015 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 顯示 面板 以及 顯示裝置 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本實用新型涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域,尤其涉及一種顯示基板、顯示 面板以及顯示裝置。
背景技術(shù)
在顯示領(lǐng)域之中,底發(fā)射顯示技術(shù)占有重要的地位。通常,在 玻璃基板之上形成柵絕緣層(GateInsulator,GI)。柵絕緣層是設(shè)置 在柵極與有源層之間的絕緣薄膜,其作用是感應(yīng)有源層載流子。一 般地,柵絕緣層包括兩個子層:一個子層的構(gòu)成材料包括是氮化硅, 一個子層的構(gòu)成材料包括二氧化硅。所述柵絕緣層的折射率大約為 1.8,而玻璃基板的折射率大約為1.5。所述柵絕緣層與所述玻璃基板 之間折射率的差異導(dǎo)致所述柵絕緣層與所述玻璃基板之間的界面對 光線的反射比較強,從而影響顯示基板對光的輸出效率。
實用新型內(nèi)容
為解決上述問題,本實用新型提供一種顯示基板、顯示面板以 及顯示裝置,用于解決現(xiàn)有的顯示基板之中柵絕緣層與玻璃基板之 間的折射率不匹配,導(dǎo)致柵絕緣層與玻璃基板之間的界面對光線的 反射比較強,從而影響顯示基板對光的輸出效率的問題。
為此,本實用新型提供一種顯示基板,包括襯底基板,所述襯 底基板之上對應(yīng)子像素的區(qū)域設(shè)置有增透層,所述增透層的入光側(cè) 設(shè)置有柵絕緣層,所述增透層的厚度為
其中,n2為所述增透層的折射率,λ為入射光的波長,m為正奇 數(shù)。
可選的,所述增透層的折射率為
其中,n1為所述柵絕緣層的折射率,n3為所述襯底基板的折射 率。
可選的,所述增透層的上方設(shè)置有濾光層,所述濾光層與所述 增透層對應(yīng)設(shè)置。
可選的,所述濾光層包括紅色濾光層、綠色濾光層或者藍色濾 光層。
可選的,所述濾光層與所述增透層具有相同的面積。
可選的,所述襯底基板之上設(shè)置有薄膜晶體管,所述濾光層之 上設(shè)置有有機發(fā)光二極管,所述薄膜晶體管的漏極與所述有機發(fā)光 二極管的陽極連接。
可選的,所述薄膜晶體管包括柵極、有源層、源極和漏極,所 述柵極設(shè)置在所述襯底基板之上,所述柵絕緣層設(shè)置在所述柵極之 上,所述有源層設(shè)置在所述柵絕緣層之上,所述源極和所述漏極設(shè) 置在所述有源層之上。
可選的,所述有機發(fā)光二極管包括陽極、發(fā)光層和陰極,所述 陽極設(shè)置在所述濾光層之上,所述發(fā)光層設(shè)置在所述陽極之上,所 述陰極設(shè)置在所述發(fā)光層之上。
可選的,所述有機發(fā)光二極管之上設(shè)置有封裝層,所述封裝層 之上設(shè)置有蓋板。
可選的,所述增透層的構(gòu)成材料包括二氧化鈦和二氧化硅。
本實用新型提供一種顯示面板,包括上述任一顯示基板。
本實用新型提供一種顯示裝置,包括上述顯示面板。
本實用新型具有下述有益效果:
本實用新型提供的顯示基板、顯示面板以及顯示裝置之中,所 述顯示基板包括襯底基板,所述襯底基板之上對應(yīng)子像素的區(qū)域設(shè) 置有增透層,所述增透層的入光側(cè)設(shè)置有柵絕緣層,所述增透層具 有預(yù)設(shè)的厚度,從而降低了光線在界面的反射率,提高了光線的透
射率,最終提高了顯示基板對光線的利用率。另外,通過預(yù)先設(shè)定
增透層的折射率,使得襯底基板、增透層與柵絕緣層之間的折射率
相互匹配,從而將光線在界面的反射率降到最低,增強了顯示基板
對光線的透射功能。
附圖說明
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的多個半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





