[實用新型]石英舟有效
| 申請號: | 201620058709.1 | 申請日: | 2016-01-21 |
| 公開(公告)號: | CN205335282U | 公開(公告)日: | 2016-06-22 |
| 發明(設計)人: | 宋賢 | 申請(專利權)人: | 蘇州市富同石英科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/18 | 分類號: | H01L31/18;H01L21/673 |
| 代理公司: | 北京科億知識產權代理事務所(普通合伙) 11350 | 代理人: | 湯東鳳 |
| 地址: | 215000 江蘇省蘇州*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 石英 | ||
技術領域
本實用新型涉及太陽能電池制造領域,尤其涉及石英舟。
背景技術
石英玻璃制品以其優良的物理化學特性,被廣泛應用于微電子產業集成電路芯片制造業。 石英玻璃是以含二氧化硅物質,如水晶、硅石。四氧化硅為原料高溫熔制而成。其二氧化硅 含量比普通玻璃高得多,一般石英玻璃二氧化硅含量在99.999%,石英玻璃制品的純凈度也 非常高,即使在高溫狀態下,也不會向外釋放雜質微粒。石英玻璃還具有優異的光學性能, 不僅可見光透光度特別好,而且透紫外線,紅外線。
太陽能電池片制造領域中,擴散工序采用高溫長時間將雜質原子擴散進硅片中,整體耗 能較高。傳統的擴散工序使用的石英舟用于放置硅片,石英舟的槽數為100槽,由于石英舟 槽數目較少,單次擴散工序能夠完成的硅片數量相應較少,擴散工序耗能較高。
實用新型內容
本實用新型解決的技術問題是提供了一種擴散工序能耗低的石英舟。
本實用新型解決其技術問題所采用的技術方案是:石英舟,包括支撐腿、設置在支撐腿 上的石英框架以及設置在石英框架上的上層石英柱組以及下層石英柱組,上層石英柱組包括 兩根水平設置的上石英柱,兩根上石英柱開設有槽口相對的上石英舟槽;下層石英柱組包括 兩根水平設置的下石英柱,下石英柱開設有開口向上的且與上石英舟槽對應的下石英舟槽; 上石英舟槽彼此平行且等距,上石英舟槽的數量為25~500個;下石英舟槽彼此平行且等距, 下石英舟槽的數量與上石英舟槽的數量相同。
硅片放置在下石英柱的下石英舟槽以及上層石英柱的上石英舟槽內,相對于傳統的100 槽的石英舟,石英舟單次擴散工序能夠完成的硅片數量增多,在不增加時間以及耗能的條件 下,最多將產能提升400%,能夠降低耗能。
進一步的是:所述上石英柱以及下石英柱與石英框架焊接連接。
進一步的是:所述上石英舟槽的深度為2.5~4毫米,所述下石英舟槽的深度為2.5~4毫米。
本實用新型的有益效果是:硅片放置在下層石英柱組的下石英舟槽內,上層石英柱組的 上石英舟槽用于對硅片定位,保持硅片的整齊。相對于傳統的100槽的石英舟,本實用新型 的石英舟單次擴散工序能夠完成的硅片數量增多,在不增加時間以及耗能的條件下,最多將 產能提升400%,能夠降低耗能。
附圖說明
圖1為石英舟主視圖示意圖;
圖2為石英舟左視圖示意圖;
圖3為上石英柱示意圖;
圖4為上石英柱俯視圖示意圖;
圖中標記為:支撐腿1,石英框架2,上石英柱3,上石英舟槽31,下石英柱4,下石英 舟槽41。
具體實施方式
下面結合附圖和具體實施方式對本實用新型進一步加以說明。
如圖1至圖4所示,石英舟,包括支撐腿1、設置在支撐腿1上的石英框架2以及設置 在石英框架2上的上層石英柱組以及下層石英柱組,上層石英柱組包括兩根水平設置的上石 英柱3,兩根上層石英柱開設有槽口相對的上石英舟槽31;下層石英柱組包括兩根水平設置 的下石英柱4,下石英柱4開設有開口向上的且與上石英舟槽31對應的下石英舟槽41;石英 舟用于放置硅片,下石英柱4開設有開口向上的且與上石英舟槽31對應的下石英舟槽41, 硅片放置在下層石英柱組的下石英舟槽41內,上層石英柱組的上石英舟槽31用于對硅片定 位,保持硅片的整齊。所述上石英舟槽31彼此平行且等距,上石英舟槽31的數量為25~500 個;下石英舟槽41彼此平行且等距,下石英舟槽41的數量與上石英舟槽31的數量相同; 25~500個上石英舟槽31以及下石英舟槽41對應設置,硅片通過下石英舟槽41和上石英舟 槽31被承載在石英舟上;相對于傳統的100槽的石英舟,本實用新型的石英舟單次擴散工序 能夠完成的硅片數量增多,在不增加時間以及耗能的條件下,將產能提升400%,能夠降低 耗能。具體的,可以根據不同的使用需要設置相應數量的上石英舟槽31以及下石英舟槽41 的數量,可以是上石英舟槽31以及下石英舟槽41均為25個或者500個或者25~500期間任 意數值的數量。
所述上石英柱3以及下石英柱4與石英框架2焊接連接;采用氫氧焰焊接,將上層石英 柱3以及下層石英柱4與石英框架2焊接在一起,連接牢固,生產方便且美觀。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





