[實用新型]基于兩端半導體功率開關的RSD觸發電路

有效

• 申請號: 201620058660.X
• 申請日: 2016-01-21
• 公開（公告）號: CN205377817U
• 公開（公告）日: 2016-07-06
• 發明（設計）人: 彭亞斌;盧社階;雷濤;劉紀磊
• 申請（專利權）人: 湖北科技學院
• 主分類號: H03K3/57
• 分類號: H03K3/57
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種基于兩端半導體功率開關的RSD觸發電路，其特征在于：包括充電電路，放電主電路，RSD觸發電路和控制電路；

所述放電主電路串聯RSD觸發電路，所述充電電路并聯于主電路、RSD觸發電路兩端；所述控制電路并聯于充電電路和RSD觸發電路兩端；所述放電主電路包括依序串聯的RSD開關、磁環L、主電容C0和負載Z0；所述RSD觸發電路包括脈沖電源，磁開關L2，半導體開關K21，半導體開關K22，磁開關L21，磁開關L22和觸發電容Cc；所述脈沖電源、半導體開關K21、RSD開關、半導體開關K22、觸發電容Cc依序串聯、構成RSD觸發電流回路；所述磁開關L21并聯于RSD開關與半導體開關K22兩端；所述磁開關L22并聯于半導體開關K22與觸發電容Cc的兩端；所述磁開關L2并聯于半導體開關K21、磁開關L21與觸發電容Cc的兩端。

2.如權利要求1所述一種基于兩端半導體功率開關的RSD觸發電路，其特征在于：所述磁開關L21、磁開關L22由導線在鐵氧體或環形微晶鐵氧體薄膜的磁芯上纏繞若干圈構成。

3.如權利要求2所述一種基于兩端半導體功率開關的RSD觸發電路，其特征在于：所述脈沖電源采用基于RSD或晶閘管或IGBT或功率MOSFET或IGCT或GTO的脈沖電源，包括充電電路和放電電路兩部分；所述放電電路包括放電電容C0、磁開關L、半導體功率開關K，輸出半導體開關K21、半導體開關K22的觸發電流。

4.如權利要求3所述一種基于兩端半導體功率開關的RSD觸發電路，其特征在于：所述半導體功率開關K采用基于IGBT或功率MOSFET或IGCT或GTO的半導體功率開關。