[實用新型]調節薄膜晶體管閾值電壓的陽極還原反應裝置有效
| 申請號: | 201620033361.0 | 申請日: | 2016-01-14 |
| 公開(公告)號: | CN205355010U | 公開(公告)日: | 2016-06-29 |
| 發明(設計)人: | 李喜峰;董盼盼;許云龍;高婭娜;張建華;岳致富 | 申請(專利權)人: | 上海大學 |
| 主分類號: | H01L21/336 | 分類號: | H01L21/336 |
| 代理公司: | 上海上大專利事務所(普通合伙) 31205 | 代理人: | 顧勇華 |
| 地址: | 200444*** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 調節 薄膜晶體管 閾值 電壓 陽極 還原 反應 裝置 | ||
1.一種調節薄膜晶體管閾值電壓的陽極還原反應裝置,其特征在于:由反應容器(9)、電源(7)、陽極金屬片(8)和電解液(10)組成陽極還原反應裝置,所述電源(7)的正極連接所述陽極金屬片(8),所述電源(7)的負極連接薄膜晶體管的源漏電極(1,2),將所述薄膜晶體管器件和陽極金屬片(8)浸入反應容器(9)內的電解液(10)中,使所述陽極金屬片(8)與所述薄膜晶體管的源漏電極(1,2)保持平行,還使所述陽極金屬片(8)與所述源漏電極(1,2)的兩電極間距離可調,使陽極還原反應在電解液(10)中進行。
2.根據權利要求1所述調節薄膜晶體管閾值電壓的陽極還原反應裝置,其特征在于:所述陽極金屬片(8)與所述源漏電極(1,2)的兩個電極之間的電場強度是通過調節電壓和兩個電極之間的距離來進行控制。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





