[實(shí)用新型]一種半導(dǎo)體檢測(cè)裝置

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201620020936.5
• 申請(qǐng)日: 2016-01-12
• 公開（公告）號(hào): CN205333836U
• 公開（公告）日: 2016-06-22
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 不公告發(fā)明人
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 重慶三零三科技有限公司
• 主分類號(hào): G01R33/07
• 分類號(hào): G01R33/07
• 代理公司: 暫無(wú)信息
• 代理人: 暫無(wú)信息

技術(shù)領(lǐng)域

本實(shí)用新型涉及一種半導(dǎo)體器件，尤其涉及一種半導(dǎo)體檢測(cè)裝置。

背景技術(shù)

霍爾傳感器是根據(jù)霍爾效應(yīng)制作的一種磁場(chǎng)傳感器。霍爾效應(yīng)是磁電效應(yīng)的一種，這一現(xiàn)象是霍爾（A.H.Hall，1855—1938）于1879年在研究金屬的導(dǎo)電機(jī)構(gòu)時(shí)發(fā)現(xiàn)的。后來(lái)發(fā)現(xiàn)半導(dǎo)體、導(dǎo)電流體等也有這種效應(yīng)，而半導(dǎo)體的霍爾效應(yīng)比金屬?gòu)?qiáng)得多，利用這現(xiàn)象制成的各種霍爾元件，廣泛地應(yīng)用于工業(yè)自動(dòng)化技術(shù)、檢測(cè)技術(shù)及信息處理等方面。霍爾效應(yīng)是研究半導(dǎo)體材料性能的基本方法。通過(guò)霍爾效應(yīng)實(shí)驗(yàn)測(cè)定的霍爾系數(shù)，能夠判斷半導(dǎo)體材料的導(dǎo)電類型、載流子濃度及載流子遷移率等重要參數(shù)。

目前，由于現(xiàn)有半導(dǎo)體霍爾元件結(jié)構(gòu)復(fù)雜、體積龐大、使用壽命短、響應(yīng)速度慢、靈敏度低，極大的限制了半導(dǎo)體霍爾元件的應(yīng)用。

實(shí)用新型內(nèi)容

本實(shí)用新型所要解決的技術(shù)問(wèn)題是提供一種結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、體積小、重量輕、壽命長(zhǎng)、響應(yīng)速度快、靈敏度高的霍爾元件。

本實(shí)用新型解決上述技術(shù)問(wèn)題的技術(shù)方案如下：一種半導(dǎo)體檢測(cè)裝置，包括半導(dǎo)體襯底，所述半導(dǎo)體襯底中心設(shè)置有絕緣環(huán)，所述絕緣環(huán)中設(shè)置有十字形霍爾元件，所述十字形霍爾元件連接有第一輸入端、第二輸入端、第一輸出端、第二輸出端，所述絕緣環(huán)兩側(cè)分別設(shè)置有磁性體安裝區(qū)，所述磁性體安裝區(qū)中設(shè)置有磁性條。

所述半導(dǎo)體霍爾元件的霍爾電壓隨磁場(chǎng)強(qiáng)度的變化而變化，磁場(chǎng)越強(qiáng)，電壓越高，磁場(chǎng)越弱，電壓越低。霍爾電壓值很小，通常只有幾個(gè)毫伏，但經(jīng)集成電路中的放大器放大，就能使該電壓放大到足以輸出較強(qiáng)的信號(hào)。所述磁性體安裝區(qū)中設(shè)置的磁性條用于集中磁力線和提高元件靈敏度，它的體積越大，元件的輸出靈敏度越高。

在上述技術(shù)方案的基礎(chǔ)上，本實(shí)用新型還可以做如下改進(jìn)。

進(jìn)一步，所述半導(dǎo)體襯底為單晶硅襯底，所述單晶硅襯底遷移率高有利于半導(dǎo)體霍爾元件響應(yīng)速度、靈敏度的提高。

進(jìn)一步，所述半導(dǎo)體十字形霍爾元件為銻化銦元件，所述銻化銦光譜范圍寬，作為磁敏電阻有利于拓寬霍爾元件的響應(yīng)范圍。

進(jìn)一步，所述第一輸入端、第二輸入端為電流輸入端，所述第一輸出端、第二輸出端為電壓輸出端，所述第一輸出端、第二輸出端構(gòu)成外部回路，產(chǎn)生霍爾效應(yīng)。

本實(shí)用新型的有益效果是：結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、體積小、重量輕、壽命長(zhǎng)、響應(yīng)速度快、靈敏度高。

附圖說(shuō)明

圖1為本實(shí)用新型一種半導(dǎo)體檢測(cè)裝置結(jié)構(gòu)示意圖；

附圖中，各標(biāo)號(hào)所代表的部件列表如下：1、半導(dǎo)體襯底，2、十字形霍爾元件，3、絕緣環(huán)，4、磁性體安裝區(qū)，5、磁性條，6、第一輸入端，7、第二輸入端，8、第一輸出端，9、第二輸出端。

具體實(shí)施方式

以下結(jié)合附圖對(duì)本實(shí)用新型的原理和特征進(jìn)行描述，所舉實(shí)例只用于解釋本實(shí)用新型，并非用于限定本實(shí)用新型的范圍。

如圖1所示，一種半導(dǎo)體檢測(cè)裝置，包括半導(dǎo)體襯底1，所述半導(dǎo)體襯底1中心設(shè)置有絕緣環(huán)3，所述絕緣環(huán)3中設(shè)置有十字形霍爾元件2，所述十字形霍爾元件2連接有第一輸入端6、第二輸入端7、第一輸出端8、第二輸出端9，所述絕緣環(huán)3兩側(cè)分別設(shè)置有磁性體安裝區(qū)4，所述磁性體安裝區(qū)4中設(shè)置有磁性條5。

所述半導(dǎo)體霍爾元件的霍爾電壓隨磁場(chǎng)強(qiáng)度的變化而變化，磁場(chǎng)越強(qiáng)，電壓越高，磁場(chǎng)越弱，電壓越低。霍爾電壓值很小，通常只有幾個(gè)毫伏，但經(jīng)集成電路中的放大器放大，就能使該電壓放大到足以輸出較強(qiáng)的信號(hào)。所述磁性體安裝區(qū)4中設(shè)置的磁性條5用于集中磁力線和提高元件靈敏度，它的體積越大，元件的輸出靈敏度越高。

所述半導(dǎo)體襯底1為單晶硅襯底，所述單晶硅襯底遷移率高有利于半導(dǎo)體霍爾元件響應(yīng)速度、靈敏度的提高。所述半導(dǎo)體十字形霍爾元件2為銻化銦元件，所述銻化銦光譜范圍寬，作為磁敏電阻有利于拓寬霍爾元件的響應(yīng)范圍。所述第一輸入端6、第二輸入端7為電流輸入端，所述第一輸出端8、第二輸出端9為電壓輸出端，所述第一輸出端8、第二輸出端9構(gòu)成外部回路，產(chǎn)生霍爾效應(yīng)。

以上所述僅為本實(shí)用新型的較佳實(shí)施例，并不用以限制本實(shí)用新型，凡在本實(shí)用新型的精神和原則之內(nèi)，所作的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本實(shí)用新型的保護(hù)范圍之內(nèi)。