[實用新型]同步整流裝置、整流電路以及電源有效
| 申請號: | 201620018717.3 | 申請日: | 2016-01-08 |
| 公開(公告)號: | CN205377694U | 公開(公告)日: | 2016-07-06 |
| 發明(設計)人: | 詹濟銘 | 申請(專利權)人: | 詹濟銘 |
| 主分類號: | H02M7/217 | 分類號: | H02M7/217 |
| 代理公司: | 廣州粵高專利商標代理有限公司 44102 | 代理人: | 鄧義華;陳衛 |
| 地址: | 518046 廣東省深圳*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 同步 整流 裝置 電路 以及 電源 | ||
技術領域
本發明涉及一種同步整流模塊,具體涉及一種應用碳化硅MOS管的同步整流模塊、應用該模塊的整流裝置以及應用該整流裝置的整流電路。
背景技術
整流電路是把交流電能轉換為直流電能的電路,廣泛應用于直流電動機的調速、發電機的勵磁調節、電解、電鍍等領域。現有技術中,整流電路的主電路中多采用整流二極管來達到整流的目的,常使用的整流二極管如普通二極管、肖基特二極管。
直接利用二極管整流電路來整流的方法存在如下問題:1、整流電路兩端的壓降偏高,造成整流的效率低;2、整流電路工作時壓降幾乎不變,從而造成工作過程中熱量的產生;3、由于產生過多的熱量,易造成二極管的老化,使其使用壽命降低;4、均流性能差。
發明內容
本發明提供了一種節能的同步整流模塊,應用該同步整流模塊的整流裝置不僅在工作過程中產生的熱量低,而且電路中的部件使用壽命長,同時均流性能好。進一步地,本發明中的同步整流模塊尤其適用于需要大功率輸出的同步整流電路中。
本發明所想要達到的效果根據以下技術方案來實現:
一種同步整流模塊,包括并聯的上半波整流模塊和下半波整流模塊,所述上半波整流模塊和下半波整流模塊皆為碳化硅MOS管,兩碳化硅MOS管的D極相連,并作為所述同步整流模塊的輸出端。
提供一種應用上述同步整流模塊的同步整流裝置:將所述同步整流模塊的電路利用環氧樹脂封裝使其密封,將碳化硅MOS管的S極引出形成兩個接線端子,將碳化硅MOS管的G極分別用兩根絕緣電線引出,還設有金屬板與兩碳化硅MOS管的D極相連接構成輸出端。上述金屬板兩側還設有安裝孔。
進一步地,上述金屬板兩側安裝孔中心點的間距為60-100mm。
進一步地,上述碳化硅MOS管的S極引出形成兩接線端子中心點的間距為25-50mm。
本發明還提供一種利用上述同步整流裝置的同步整流電路,包括上半波控制電路、下半波控制電路、同步整流裝置及負載電阻:上半波控制電路、下半波控制電路的輸入端分別與變壓器主線圈相連接;上半波控制電路、下半波控制電路分別連接一個同步整流裝置中的碳化硅MOS管,同步整流裝置的輸出端作為所述同步整流電路的輸出端;碳化硅MOS管S極與變壓器主線圈相連接,所述上、下半波的控制電路用于控制碳化硅MOS管G極的有效電壓和通斷時間;負載電阻連接于所述同步整流電路的輸出端與變壓器中心抽頭之間。
進一步地,上述同步整流電路中可并聯多組碳化硅MOS管組成的同步整流裝置,均流性能更佳。
進一步地,上半波控制電路和下半波控制電路為相同的電路結構。
一種上/下半波控制電路:包括控制線圈、分壓電容、分壓電阻、雙向穩壓二極管和柵極電阻,其中控制線圈負責供電,分壓電容與分壓電阻并聯形成阻容分壓電路,雙向穩壓二極管與柵極電阻并聯形成保護電路,控制線圈、阻容分壓電路與保護電路串聯。
本發明還提供一種電源,該電源內部的整流電路使用的即本發明中所述同步整流電路。
本發明具有如下有益效果:
1、本發明中的同步整流模塊及應用該同步整流模塊的整流裝置在工作過程中產生的熱量低、模塊中電子部件使用的壽命長、均流性能好。
2、本發明中的同步整流模塊及應用該同步整流模塊的整流裝置尤其適用于需要大功率輸出的同步整流電路中,尤其適用于在輸出電流大于200A的整流電路中。
3、本發明中的同步整流模塊及應用該同步整流模塊的整流裝置尤其適用于輸出電流為200-10000A的整流電路中。
附圖說明
圖1為現有技術中的二極管整流電路圖;
圖2為本發明中的碳化硅MOS管示意圖;
圖3為本發明中的同步整流模塊電路示意圖;
圖4為本發明中的同步整流裝置的主視圖;
圖5為本發明中的同步整流裝置的俯視圖;
圖6為本發明中的同步整流裝置的右視圖;
圖7為本發明中的同步整流電路示意圖。
具體實施方式
下面結合附圖和實施例對本發明進行詳細的說明。
如附圖1所示為現有技術中常用的二極管整流電路圖,圖2為本發明中所使用的碳化硅MOS管示意圖,S極為源極,G極為柵極,D極為漏極。碳化硅MOS管與現有技術中的常用的二極管(如肖特基二極管)不同,碳化硅MOS管不存在開啟電壓,所以能夠實現從小電流到大電流的寬電流范圍內的低導通損耗。且碳化硅MOS管的漂移層阻抗低,所以其導通后損耗更小。
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