[實用新型]基于犧牲層技術的SOI壓力敏感芯片

有效

• 申請號: 201620017149.5
• 申請日: 2016-01-08
• 公開（公告）號: CN205317381U
• 公開（公告）日: 2016-06-15
• 發明（設計）人: 揣榮巖;衣暢;張曉民;關若飛;關艷霞;李新;劉一婷
• 申請（專利權）人: 沈陽工業大學
• 主分類號: G01L1/22
• 分類號: G01L1/22;B81B3/00;B81C1/00
• 代理公司: 沈陽智龍專利事務所(普通合伙) 21115
• 代理人: 周楠;宋鐵軍

1.基于犧牲層技術的SOI壓力敏感芯片，其特征在于：該芯片采用絕緣層上的單晶硅薄膜SOI材料制造，包括SOI的單晶硅襯底（1），SOI二氧化硅絕緣層作為犧牲層形成的腔體（2），在單晶硅薄膜（3）上刻蝕隔離槽（4）形成的四個應變電阻（5）及其金屬導線（6）；金屬導線（6）上下的氮化硅絕緣保護層（7）及兩次淀積形成的多晶硅結構層（8）與單晶硅薄膜（3）共同構成敏感芯片感壓膜，感壓膜邊緣刻蝕有八個方形腐蝕孔（9），用于腐蝕二氧化硅犧牲層；四個應變電阻（5）通過金屬導線（6）連接成惠斯通電橋，將壓力信號轉換成電壓信號輸出。

2.根據權利要求1所述的基于犧牲層技術的SOI壓力敏感芯片，其特征在于：應變電阻（5）由SOI材料上的單晶硅薄膜制成，通過隔離槽（4）與單晶硅薄膜（3）實現電隔離，位于多晶硅結構層（8）內側。