[實用新型]一種新型多晶硅片制絨裝置有效
| 申請號: | 201620016080.4 | 申請日: | 2016-01-07 |
| 公開(公告)號: | CN205303499U | 公開(公告)日: | 2016-06-08 |
| 發明(設計)人: | 張明河;張一麥 | 申請(專利權)人: | 浙江谷高光伏科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/18 | 分類號: | H01L31/18;C30B33/10 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 312300 浙*** | 國省代碼: | 浙江;33 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 新型 多晶 硅片 裝置 | ||
技術領域
本實用新型涉及工業機械技術領域,具體涉及一種新型多晶硅片 制絨裝置。
背景技術
作為21世紀,新型的能源多晶硅片的設計與制造,是現代化生產 標志,多晶硅片在生產加工過程中,常常需要對加工成型的多晶硅片 首先進行清洗,再制作成能夠減少表面太陽光反射的絨面結構,制絨 是制造晶硅電池的第一道工藝,又稱“表面織構化”。有效的絨面結 構使得入射光在硅片表面多次反射和折射,增加了光的吸收,降低了 反射率,有助于提高電池的性能。
但是在現在生產加工的過程中,常常采用硝酸和氫氟酸的混合液 繼續擰酸性制絨,由于由于多晶硅存在很多晶界及表面缺陷,且上述 酸反應過程是一個先氧化后溶解的過程,因此反應優先在晶界及表面 缺陷處發生。若希望得到較為均勻的絨面效果,需要讓多晶硅片表面 的溶液隨時保持流動,但是大量的酸性溶液暴露在生產車間中不僅會 造成不必要的安全隱患,還會對操作者的身體帶來一定的損傷。
實用新型內容
針對現有技術的不足,本實用新型提供了一種新型多晶硅片制絨 裝置,能夠有效保持酸洗液的自動補液循環,使得操作制絨更加便捷。
為實現以上目的,本實用新型通過以下技術方案予以實現:
一種新型多晶硅片制絨裝置,包括:承壓板、儲液盒、絨棉層、滾 筒、濾網層以及調節器,所述的滾筒包括第一滾筒和第二滾筒結構, 所述的承壓板的內部設有若干組儲液盒,儲液盒與絨棉層相聯通,絨 棉層的下端通過彈性連接桿結構與第一滾筒連接,在第一滾筒的下方 設有相互配合的第二滾筒結構,所述的第二滾筒結構的下方設有濾網 層,且濾網層和第二滾筒結構整體設置與清洗槽內。
優選地,所述的絨棉層與承壓板可拆卸連接。
優選地,所述的第一滾筒的直徑比第二滾筒的直徑小。
優選地,所述的濾網層結構與清洗槽內設置的滑槽相互配合連接。
優選地,所述的濾網層與清洗槽可拆卸連接。
本實用新型提供了一種新型多晶硅片制絨裝置,通過設置在承壓 板內部的儲液盒裝置能夠有效將酸性制絨洗液儲存,且絨棉層結構在 第一滾筒與第二滾筒結構相互擠壓的過程中,會對彈性連接桿產生擠 壓,使得儲存在絨棉層內的酸性制絨洗液及時流出,對與第一滾筒相 接觸的多晶硅片進行酸性制絨操作。整個裝置設計合理,操作簡單那, 可進一步推廣應用。
附圖說明
為了更清楚地說明本實用新型實施例或現有技術中的技術方案, 下面將對實施例或現有技術描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹, 顯而易見地,對于本領域普通技術人員來講,在不付出創造性勞動的 前提下,還可以根據這些附圖獲得其他的附圖。
圖1本實用新型的整體結構示意圖;
其中:1、承壓板;2、儲液盒;3、絨棉層;4、第一滾筒;5、第 二滾筒;6、濾網層;7、調節器;8、清洗槽;401、彈性連接桿。
具體實施方式
為使本實用新型實施例的目的、技術方案和優點更加清楚,下面 將結合本實用新型實施例中的附圖,對本實用新型實施例中的技術方 案進行清楚、完整地描述。基于本實用新型中的實施例,本領域普通 技術人員在沒有作出創造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例,都 屬于本實用新型保護的范圍。
如圖1所示,本實施例一種新型多晶硅片制絨裝置,包括:承壓 板1、儲液盒2、絨棉層3、滾筒、濾網層6以及調節器7,滾筒包括 第一滾筒4和第二滾筒5結構,承壓板1的內部設有若干組儲液盒2, 儲液盒2與絨棉層3相聯通,絨棉層3的下端通過彈性連接桿401結 構與第一滾筒4連接,在第一滾筒4的下方設有相互配合的第二滾筒5 結構,第二滾筒5結構的下方設有濾網層6,且濾網層6和第二滾筒5 結構整體設置與清洗槽8內。
絨棉層3與承壓板1可拆卸連接,方便安裝維修,第一滾筒4的 直徑比第二滾筒5的直徑小,使得第一滾筒4與多晶硅片需要制絨的 面充分有效接觸,達到有效制絨的效果,也大大節約了每次的實用酸 性制絨液體量,濾網層6結構與清洗槽8內設置的滑槽相互配合連接, 濾網層6與清洗槽8可拆卸連接,,方便清洗,方便安裝維修。
以上實施例僅用以說明本實用新型的技術方案,而非對其限制; 盡管參照前述實施例對本實用新型進行了詳細的說明,本領域的普通 技術人員應當理解:其依然可以對前述各實施例所記載的技術方案進 行修改,或者對其中部分技術特征進行等同替換;而這些修改或者替 換,并不使相應技術方案的本質脫離本實用新型各實施例技術方案的 精神和范圍。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





