[發明專利]一種晶體缺陷密度法檢測冷軋金屬板法向應變均勻性方法

在審

• 申請號: 201611272280.7
• 申請日: 2016-12-28
• 公開（公告）號: CN108254390A
• 公開（公告）日: 2018-07-06
• 發明（設計）人: 陳明彪;李青山;劉文昌;楊慶祥;張勇
• 申請（專利權）人: 青海大學
• 主分類號: G01N23/00
• 分類號: G01N23/00
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種晶體缺陷密度法檢測冷軋金屬板法向應變均勻性方法，其特征是：通過使用正電子湮沒技術的多普勒線形展寬譜儀及正電子湮沒譜線多普勒增寬法，檢測金屬材料冷軋板試樣表面至中心層的晶體缺陷密度值的均勻性，根據金屬材料冷軋應變量大小與應變后晶體缺陷密度值高低的對應關系，分析判斷金屬材料冷軋板試樣法向表面至中心層的應變均勻性：其包括步驟：(1)從金屬材料冷軋板上切取板面晶體缺陷密度檢測試板；(2)加工板面晶體缺陷密度檢測試板，制作符合正電子湮沒技術檢測要求的板面晶體缺陷密度檢測試樣(簡稱試樣)；(3)使用正電子湮沒技術檢測試樣法向表層至中心層的晶體缺陷密度均勻性：依次進行，分別加工試樣的初始檢測板面、1/4深度層檢測板面、中心層檢測板面至得到符合使用多普勒線形展寬譜儀及正電子湮沒譜線多普勒增寬法檢測要求并檢測各檢測表面的晶體缺陷密度；(4)依據得到的初始檢測板面、1/4深度層檢測板面、中心層檢測板面的晶體缺陷密度檢測值，根據金屬材料冷軋應變量大小與應變后晶體缺陷密度值高低的對應關系，分析判斷試樣表層至中心層冷軋應變均勻性。

2.根據權利要求1所述的一種晶體缺陷密度法檢測冷軋金屬板法向應變均勻性方法，其特征是：所述的試樣法向表面至中心層的應變均勻性采用所述的初始檢測板面、1/4深度層檢測板面、中心層檢測板面的深度與其晶體缺陷密度值關系曲線表示。

3.根據權利要求1所述的一種晶體缺陷密度法檢測冷軋金屬板法向應變均勻性方法，其特征是：所述的試樣法向表面至中心層的應變均勻性采用所述的初始檢測板面、1/4深度層檢測板面、中心層檢測板面的深度與其晶體缺陷密度值關系數據表表示。