[發明專利]基于norflash的寬帶載波從節點控制方法

有效

• 申請號: 201611271190.6
• 申請日: 2016-12-31
• 公開（公告）號: CN106844226B
• 公開（公告）日: 2022-12-02
• 發明（設計）人: 楊虎岳
• 申請（專利權）人: 北京市騰河智慧能源科技有限公司
• 主分類號: G06F12/02
• 分類號: G06F12/02
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

本發明公開了基于nor flash的寬帶載波從節點控制方法，涉及flash從節點控制技術領域，該方法采用多開扇區，只將要修改的新數據存儲到flash的新扇區中，不需要對整塊flash中的全部數據進行搬移、擦除和存儲。有效的避免了大量數據搬移和頻繁擦除flash的問題。包括flash芯片和與flash芯片連接的RAM芯片，所述flash芯片包括若干個扇區，寬帶載波從節點控制方法如下：初始化flash芯片；添加flash芯片的從節點，刪除flash芯片的從節點。

技術領域

本發明涉及flash從節點控制技術領域，具體涉及基于norflash的寬帶載波從節點控制方法。

背景技術

目前，在寬帶載波中一般都采用flash來存儲數據信息，但傳統的norflash算法中，若要修改flash中的已有任何數據，都要先將整塊flash中的全部數據讀到RAM芯片中，然后在RAM芯片中將數據修改好，并同時擦除整塊flash中的全部原有數據，然后再將在RAM芯片中已修改好的數據寫入到flash中去。

目前這種對flash中已有數據的修改存在如下不足，

如果flash中已有數據量較大，大量數據的搬移無疑會給系統帶來風險，如果關鍵數據在搬移過程中出錯就可能導致系統癱瘓。并且每次修改flash中的已有數據都會對整塊flash進行一次擦除，如果頻繁修改flash中的數據，則必然會較快的讓flash達到擦除次數的上限而導致flash壞掉，從而縮短了flash的使用壽命。

發明內容

本發明是為了解決現有flash對已有數據的修改存在的上述不足，提供一種采用多開扇區，只將要修改的新數據存儲到flash的新扇區中，同時將flash原扇區中的原數據設置為無效，而不需要對整塊flash中的全部數據進行搬移、擦除和存儲，靈活性好，安全性高的基于norflash的寬帶載波從節點控制方法。

為了實現上述目的，本發明采用以下技術方案：

基于norflash的寬帶載波從節點控制方法，包括flash芯片和與flash芯片連接的RAM芯片，所述flash芯片包括若干個扇區，寬帶載波從節點控制方法如下：

(1)、初始化flash芯片；

步驟(1-1-1)、上電后讀取所有flash扇區的數據，查詢出有效的從節點數據，將有效的從節點數據保存在RAM芯片中，并同時將該有效的從節點數據在flash中的地址也保存在RAM芯片中，以便刪除從節點時能確定該從節點在flash中的地址；

步驟(1-1-2)、每讀1個扇區就統計該扇區內總的從節點個數和有效的從節點個數，并將統計的該扇區總的從節點個數和有效從節點個數的數據保存在RAM芯片中；并查詢出當前可直接寫入的flash地址，并將該當前可直接寫入的flash地址也保存到RAM芯片中；

步驟(1-1-3)、確保有1個以上已經擦除的備用扇區，第一次上電要擦除至少兩個扇區；

(2)、添加flash芯片的從節點

步驟(1-2-1)、將新的從節點數據寫入當前可直接寫入的flash地址，計算下1個新的從節點的flash地址，當前flash地址加上從節點信息長度即可得到下1個從節點地址，若不跨扇區，則下1個新的從節點即可用這個地址；

步驟(1-2-2)、若跨扇區，比較所有扇區的有效從節點個數，選出有效從節點個數最少的扇區，將該扇區所有有效的從節點數據讀出并存入備用扇區，并保存當前可直接寫入的flash地址到RAM芯片中；最后擦除該扇區作為下一次存入的一個備用扇區；

(3)刪除flash芯片的從節點；