[發(fā)明專(zhuān)利]像素結(jié)構(gòu)的制造方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201611270994.4
• 申請(qǐng)日: 2016-12-30
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN106527005B
• 公開(kāi)（公告）日: 2020-03-27
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 陳猷仁
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 惠科股份有限公司;重慶惠科金渝光電科技有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): G02F1/1362
• 分類(lèi)號(hào): G02F1/1362
• 代理公司: 深圳市百瑞專(zhuān)利商標(biāo)事務(wù)所(普通合伙) 44240
• 代理人: 邢濤

1.一種像素結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，所述方法包括：

形成第一導(dǎo)電層于基板上;

形成第二導(dǎo)電層于所述基板上;

形成第三導(dǎo)電層于所述基板上，其中所述第一導(dǎo)電層、第二導(dǎo)電層和第三導(dǎo)電層三者間隔疊放且在垂直空間上相互覆蓋; 所述第一導(dǎo)電層設(shè)置在第二導(dǎo)電層和第三導(dǎo)電層之間;以及

在形成所述第一導(dǎo)電層后，形成主動(dòng)開(kāi)關(guān)于像素區(qū)內(nèi)，其中所述第一導(dǎo)電層和主動(dòng)開(kāi)關(guān)的漏極耦合；所述第二導(dǎo)電層和第一電壓線耦合；所述第三導(dǎo)電層和第二電壓線耦合；

當(dāng)形成所述第一導(dǎo)電層時(shí)，同時(shí)形成掃描線于基板上；所述第一電壓線包括上一掃描線；所述第二電壓線與共通線在所述第一導(dǎo)電層覆蓋區(qū)域內(nèi)重疊設(shè)置。

2.如權(quán)利要求1所述的像素結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，當(dāng)形成所述第二導(dǎo)電層時(shí)，同時(shí)形成像素電極于基板上。

3.如權(quán)利要求1所述的像素結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，當(dāng)形成所述第三導(dǎo)電層時(shí)，所述第三導(dǎo)電層的材料是相同于所述主動(dòng)開(kāi)關(guān)的第一金屬層或第二金屬層的材料。

4.如權(quán)利要求1所述的像素結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，所述第一導(dǎo)電層、第二導(dǎo)電層及第三導(dǎo)電層的其中至少一者是相同于所述主動(dòng)開(kāi)關(guān)的第一金屬層的材料。

5.如權(quán)利要求1所述的像素結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，所述第一導(dǎo)電層、第二導(dǎo)電層及第三導(dǎo)電層的其中至少一者是相同于所述主動(dòng)開(kāi)關(guān)的第二金屬層的材料。

6.如權(quán)利要求1所述像素結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，所述第一導(dǎo)電層、第二導(dǎo)電層及第三導(dǎo)電層的其中至少一者是采用透明導(dǎo)電材料制成。

7.如權(quán)利要求1所述像素結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，形成所述第三導(dǎo)電層之后，再形成第四導(dǎo)電層于所述第三導(dǎo)電層上，所述第一導(dǎo)電層、所述第二導(dǎo)電層、所述第三導(dǎo)電層及所述第四導(dǎo)電層疊放且間隔設(shè)置。

8.如權(quán)利要求7所述像素結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，所述第二導(dǎo)電層、所述第三導(dǎo)電層及所述第四導(dǎo)電層的材料相同。

9.一種像素結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，所述方法包括：

形成第一導(dǎo)電層于基板上;

形成第二導(dǎo)電層于所述基板上;

形成第三導(dǎo)電層于所述基板上，其中所述第一導(dǎo)電層、第二導(dǎo)電層和第三導(dǎo)電層三者間隔疊放且在垂直空間上相互覆蓋;所述第一導(dǎo)電層設(shè)置在第二導(dǎo)電層和第三導(dǎo)電層之間;以及在形成第一導(dǎo)電層后，形成主動(dòng)開(kāi)關(guān)于像素區(qū)內(nèi)，其中所述第一導(dǎo)電層和主動(dòng)開(kāi)關(guān)的漏極耦合；所述第二導(dǎo)電層和第一電壓線耦合；所述第三導(dǎo)電層和第二電壓線耦合；

其中，當(dāng)形成所述第一導(dǎo)電層時(shí)，同時(shí)形成掃描線于基板上；

其中，當(dāng)形成所述第二導(dǎo)電層時(shí)，同時(shí)形成像素電極于基板上；

其中，當(dāng)形成所述第三導(dǎo)電層時(shí)，所述第三導(dǎo)電層的材料是相同于所述主動(dòng)開(kāi)關(guān)的第一金屬層或第二金屬層的材料。

其中，在形成所述第三導(dǎo)電層之后，再形成第四導(dǎo)電層于所述第三導(dǎo)電層上，所述第一導(dǎo)電層、所述第二導(dǎo)電層、所述第三導(dǎo)電層及所述第四導(dǎo)電層疊放且間隔設(shè)置，所述第二導(dǎo)電層、所述第三導(dǎo)電層及所述第四導(dǎo)電層的材料相同；所述第一電壓線包括上一掃描線；所述第二電壓線與共通線在所述第一導(dǎo)電層覆蓋區(qū)域內(nèi)重疊設(shè)置。