[發明專利]一種用于真空互聯系統的樣品運送架及真空裝置

有效

• 申請號: 201611268430.7
• 申請日: 2016-12-31
• 公開（公告）號: CN108267609B
• 公開（公告）日: 2021-11-05
• 發明（設計）人: 陸曉鳴;李坊森;丁孫安
• 申請（專利權）人: 中國科學院蘇州納米技術與納米仿生研究所
• 主分類號: G01N35/10
• 分類號: G01N35/10
• 代理公司: 深圳市威世博知識產權代理事務所(普通合伙) 44280
• 代理人: 鐘子敏

本發明提供一種用于真空互聯系統的樣品運送架及真空裝置，該樣品運送架包括第一承托架和第二承托架，其中，第一承托架被設置為可在真空互聯系統中的軌道上滑動；第二承托架設置于第一承托架之上，第二承托架頂部設有樣品支撐平面及自樣品支撐平面凹陷的第一凹槽，以使得樣品叉可進入第一凹槽以頂起樣品。本發明提供的用于真空互聯系統的樣品運送架及真空裝置由于設有第二承托架，第二承托架上的第一凹槽可以使得樣品叉進入第一凹槽從而頂起樣品，實現在真空互聯系統中機械傳遞，避免手動操作，提高樣品表面的潔凈度，并且能夠節約時間成本。

技術領域

本發明涉及質量分析設備領域，具體是指一種用于真空互聯系統的樣品運送架及真空裝置。

背景技術

飛行時間二次離子質譜儀(Time of Flight Secondary Ion MassSpectrometry，簡稱“TOFSIM”)是目前表面分析儀器中，對材料表面成份和化學性質分析的最靈敏的技術設備之一。TOFSIM對分析樣品的表面要求極高，必須避免大氣環境中的水、氧、碳等雜質沾污待分析樣品的表面。

目前，商用的TOFSIM是單獨使用的，不與制樣設備直接連接，通常的做法是將保護好的待測樣品在大氣環境中先裝載到TOFSIM的進樣室，再將進樣室抽到高真空后才能把樣品傳到質譜儀的超高真空分析室，但是在這個裝樣過程中，樣品表面不可避免會被大氣環境污染；還有一種做法是利用惰性氣體保護箱進行中轉，也就是在TOFSIM進樣室前連接一個惰性氣體保護箱，被保護的待測樣品先放入到惰性氣體保護箱中，在高純惰性氣體(氮氣或氬氣)的環境中，用手動的方式將樣品從一個設備轉移到另一個設備。其中，后一種方案可以一定程度上起到避免待測樣品在大氣環境下污染的問題，但惰性氣體會殘留粘附到待測樣品的表面，改變樣品表面的成份和性質，并且存在惰性氣體保護箱氣體泄漏對操作人員產生窒息危險的可能性，此外該方法依靠手工操作易出現人為裝載樣品的錯誤，而且大氣真空切換耗時長達1-2個小時，浪費時間成本。

發明內容

本發明提供一種用于真空互聯系統的樣品運送架及真空裝置，以解決現有技術中TOFSIM不與制樣設備直接連接使得待測樣品的表面易受污染的技術問題。

為解決上述技術問題，本發明采用的一個技術方案是：提供一種用于真空互聯系統的樣品運送架，包括：

第一承托架，被設置為可在所述真空互聯系統中的軌道上滑動；

第二承托架，設置于所述第一承托架之上，所述第二承托架頂部設有樣品支撐平面及自所述樣品支撐平面凹陷的第一凹槽，以使得樣品叉可進入所述第一凹槽以頂起所述樣品。

根據本發明一實施例，所述第一凹槽是所述第二承托架兩對側的兩個邊緣導向槽，兩個所述邊緣導向槽被配置為所述樣品置于所述樣品支撐平面時均伸出所述兩個邊緣導向槽上方。

根據本發明一實施例，兩個所述邊緣導向槽之間的所述間距比圓形的所述樣品直徑小8-10mm，同時比兩指樣品叉寬度小1-2mm。

根據本發明一實施例，所述第二承托架頂部設有第二凹槽，所述第二凹槽是自所述樣品支撐平面中間凹陷形成的中間導向槽，所述中間導向槽被配置為與所述邊緣導向槽交叉。

根據本發明一實施例，所述中間導向槽的寬度比圓形的所述樣品小10-15mm，同時比勺形樣品叉寬度大1-2mm，深度是勺形樣品叉厚度的2-5倍。

根據本發明一實施例，所述第二承托架包括自所述樣品支撐平面周邊凸起且呈包圍所述樣品狀的卡緣，所述卡緣與所述樣品支撐平面共同形成裝載所述樣品并對其限位的卡槽。

根據本發明一實施例，所述卡緣內側傾斜，且所述卡槽的直徑比圓形的所述樣品的直徑大0.2-2.5mm，深度是圓形的所述樣品厚度的2-5倍。