[發明專利]芯片級LED封裝工藝

在審

• 申請號: 201611265322.4
• 申請日: 2016-12-30
• 公開（公告）號: CN106876551A
• 公開（公告）日: 2017-06-20
• 發明（設計）人: 尹梓偉;張萬功
• 申請（專利權）人: 東莞中之光電股份有限公司
• 主分類號: H01L33/48
• 分類號: H01L33/48;H01L33/50;H01L25/075
• 代理公司: 廣州華進聯合專利商標代理有限公司44224
• 代理人: 舒丁

技術領域

本發明涉及一種半導體封裝結構，尤其涉及一種芯片級LED封裝工藝。

背景技術

相比于傳統的發光源，發光二極管(Light Emitting Diode，LED)具有重量輕、體積小、節能環保、發光效率高等優點，其作為一種新型的發光源，已經被越來越多地廣泛應用于指示、顯示、裝飾、背光源、普通照明和城市夜景等領域。

現有的發光LED封裝結構通常將封裝膠體跟熒光粉混合，然后對芯片及導線進行封裝。然而，由于封裝膠體體積較大，如果都使用混合了熒光粉的膠體進行封裝，容易導致浪費熒光粉并且使得熒光粉分布不均勻，容易出現出光不均勻等情況，導良品率低。

發明內容

基于此，本發明提供一種制作簡單、良品率高的芯片級LED封裝工藝。

為了實現本發明的目的，本發明采用以下技術方案：

一種芯片級LED封裝工藝，包括以下步驟：

步驟一，提供一陶瓷基板；

步驟二：提供若干芯片，均勻間隔放置在陶瓷基板上；

步驟三：提供一熒光膜片，覆蓋在所述芯片上；

步驟四：對所述熒光膜片進行切割，分割成若干間隔設置的熒光膜片，各熒光膜片與芯片一一對應；各熒光膜片的外形尺寸大于所述芯片的外形尺寸；

步驟五：提供封裝體，對所述芯片及熒光膜片進行封裝；所述封裝體圍繞所述芯片及熒光膜片的四周并與熒光膜片的頂面平齊；

步驟六：切割出LED封裝顆粒；切割后的陶瓷基板的邊緣大于對應的熒光膜片的邊緣。

在其中一個實施例中，所述步驟三中，所述熒光膜片為預制式熒光膜片。

在其中一個實施例中，所述熒光膜片的制作方法為：將熒光粉和粘結劑充分混合均勻，在模具里面涂成薄膜，然后在溫度170°-220°下加熱固化。

在其中一個實施例中，所述熒光膜片的制作方法為：先分別調膠、調熒光粉；然后以鋼板或者玻璃作為載體一層熒光粉一層膠膜交替地堆疊到需要厚度；最后在溫度170°-220°下加熱固化得出所需的熒光膜片。

在其中一個實施例中，所述熒光膜片的厚度為0.09～0.45mm。

一種芯片級LED封裝工藝，包括以下步驟：

步驟一，提供一陶瓷基板；該陶瓷基板為預設制作一個LED封裝結構的尺寸；

步驟二：提供一芯片放置在陶瓷基板上；

步驟三：提供一熒光膜片，覆蓋在所述芯片上；

步驟四：對所述熒光膜片進行切割，得出預設尺寸的熒光膜片，該熒光膜片的外形尺寸大于所述芯片的外形尺寸并小于所述陶瓷基板的外形尺寸；

步驟五：提供封裝體，對所述芯片及熒光膜片進行封裝；所述封裝體圍繞所述芯片及熒光膜片的四周并與熒光膜片的頂面平齊。

在其中一個實施例中，所述步驟三中，所述熒光膜片為預制式熒光膜片。

在其中一個實施例中，所述熒光膜片的制作方法為：將熒光粉和粘結劑充分混合均勻，在模具里面涂成薄膜，然后在溫度170°-220°下加熱固化。

在其中一個實施例中，所述熒光膜片的制作方法為：先分別調膠、調熒光粉；然后以鋼板或者玻璃作為載體一層熒光粉一層膠膜交替地堆疊到需要厚度；最后在溫度170°-220°下加熱固化得出所需的熒光膜片。

在其中一個實施例中，所述熒光膜片的厚度為0.09～0.45mm。

本發明的芯片級LED封裝工藝通過熒光膜片覆蓋芯片的方式，避免了對整個封裝體進行熒光粉混合處理，而熒光膜片單獨制作可以有效地保證了熒光膜片的品質，提高了LED封裝結構的光學性能。

附圖說明

圖1為本發明的一較佳實施例的芯片級LED封裝工藝的步驟一的陶瓷基板的剖視結構示意圖。

圖2為本發明的芯片級LED封裝工藝的步驟二的陶瓷基板放置芯片后的剖視結構示意圖。

圖3為本發明的芯片級LED封裝工藝的步驟三的陶瓷基板及芯片上放置熒光膜片的剖視結構示意圖。

圖4為本發明的芯片級LED封裝工藝的步驟四的剖視結構示意圖。

圖5為本發明的步驟五的LED封裝結構的剖視結構示意圖。

具體實施方式

為了便于理解本發明，下面將對本發明進行更全面的描述。但是，本發明可以以許多不同的形式來實現，并不限于本文所描述的實施例。相反地，提供這些實施例的目的是使對本發明的公開內容的理解更加透徹全面。