[發明專利]一種寬帶折射率漸變的多模光纖

在審

• 申請號: 201611265215.1
• 申請日: 2016-12-30
• 公開（公告）號: CN106772784A
• 公開（公告）日: 2017-05-31
• 發明（設計）人: 蔣新力;范艷層;李文濤;沈一春
• 申請（專利權）人: 中天科技精密材料有限公司;江蘇中天科技股份有限公司
• 主分類號: G02B6/028
• 分類號: G02B6/028
• 代理公司: 深圳市賽恩倍吉知識產權代理有限公司44334
• 代理人: 謝志為

1.一種多模光纖，包括芯層和包覆于所述芯層上的包層，所述芯層的折射率剖面呈拋物線，所述多模光纖的徑向折射率n(r)可表示為：

$n^2\left(r\right)=\left\{\begin{array}{cc}{n}_0^2\[1-2\mathrm{\Δ}{\left(\frac{r}{R_0}\right)}^{\mathrm{\α}}\],& r\≤R_0\\ n_c^2,& r\>R_0\end{array}\right.,$

其中Δ為相對折射率差，

r為所述多模光纖中某個點距離芯層中心軸的徑向距離，R₀為芯層半徑，n₀和n_b分別為芯層中心和芯層邊界的折射率，n_c為包層折射率，α為芯層剖面折射率分布參數，

其特征在于：所述芯層為GeO₂以及其它摻雜物質共摻的一種玻璃層，所述摻雜物的摩爾濃度隨半徑變化，并按如下函數分布：

$M\left(r\right)=\left\{\begin{array}{cc}{M}_0-(M_0-M_b)\×{\left(\frac{r}{R_0}\right)}^{\mathrm{\β}},& r\≤R_0\\ 0,& r\>R_0\end{array}\right.,$

所述M(r)為所述摻雜物在距離所述芯層中心軸的徑向距離r處的摩爾濃度，M₀為所述摻雜物在所述芯層中心的摩爾濃度，M_b為所述摻雜物在所述芯層邊界的摩爾濃度，β為所述摻雜物的濃度分布參數。