[發明專利]寬帶半階躍型多模光纖

有效

• 申請號: 201611265186.9
• 申請日: 2016-12-30
• 公開（公告）號: CN106707407B
• 公開（公告）日: 2019-06-28
• 發明（設計）人: 蔣新力;李文濤;范艷層;沈一春
• 申請（專利權）人: 中天科技精密材料有限公司;江蘇中天科技股份有限公司
• 主分類號: G02B6/028
• 分類號: G02B6/028;G02B6/02
• 代理公司: 深圳市賽恩倍吉知識產權代理有限公司 44334
• 代理人: 謝志為

1.一種寬帶半階躍型多模光纖，其包括纖芯層和包層，其特征在于：所述纖芯層中摻雜有GeO₂以及P₂O₅和/或F，所述纖芯層包括同心設置的漸變區以及平臺區，所述漸變區由所述纖芯層的中心向外延伸距離R1形成，所述平臺區從距離所述纖芯層的中心R1處向外延伸距離R2-R1至所述纖芯層的邊界形成，所述寬帶半階躍型多模光纖的折射率的分布滿足以下公式：

其中，r為距離所述纖芯層的纖芯軸的徑向距離，R2為所述纖芯層的半徑，所述纖芯層的半徑R2為23～32um，所述平臺區的寬度R2-R1為0.5～5um，Rmax為所述包層的半徑，所述包層的半徑Rmax為40～100um，n₀為所述纖芯層中心的折射率，n_R1為所述漸變區的邊界的折射率，n_c為所述包層的折射率，Δ0為纖芯層中心和漸變區的邊界相對折射率差：所述漸變區的邊界折射率差Δ2與纖芯層中心折射率差Δ1的關系為0.2Δ1≤Δ2≤0.6Δ1。

2.如權利要求1所述的寬帶半階躍型多模光纖，其特征在于：所述纖芯層中心摻雜有摩爾濃度為5％～11％的GeO₂以及摩爾濃度為1％～9％的P₂O₅，所述漸變區的邊界和平臺區摻雜有摩爾濃度為3.5％～5.5％的GeO₂以及摩爾濃度為0％～0.5％的P₂O₅，且P₂O₅在纖芯層的摩爾濃度隨所述纖芯層的半徑按如下函數變化：

其中，M_P0為纖芯層中心P₂O₅的摩爾濃度，M_Pb為纖芯層邊界P₂O₅的摩爾濃度，β_p取值范圍為1～5，M_P(r)為所述P₂O₅在距離所述纖芯層中心軸的徑向距離r處的摩爾濃度。

3.如權利要求2所述的寬帶半階躍型多模光纖，其特征在于：所述寬帶半階躍型多模光纖在850nm～950nm波長的最佳剖面折射率分布參數差值Δα_opt為0.00～0.024，在850nm～1300nm波長的最佳剖面折射率分布參數差值Δα_opt為0～0.088。

4.如權利要求1所述的寬帶半階躍型多模光纖，其特征在于：所述纖芯層中心摻雜有摩爾濃度為11％～13％的GeO₂以及摩爾濃度為0％～0.5％的F，所述漸變區的邊界和平臺區摻雜有摩爾濃度為5.5％～11％的GeO₂以及摩爾濃度為1％～6％的F，且F在纖芯層的摩爾濃度隨所述纖芯層的半徑按如下函數變化：

其中，M_F0為纖芯層中心F的摩爾濃度，M_Fb為芯層邊界P₂O₅的摩爾濃度，β_F取值范圍為1.5～7，M_F(r)為所述F在距離所述纖芯層中心軸的徑向距離r處的摩爾濃度。

5.如權利要求4所述的寬帶半階躍型多模光纖，其特征在于：所述寬帶半階躍型多模光纖在在850nm～950nm波長的最佳剖面折射率分布參數差值Δα_opt為0.016～0.026，在850nm～1300nm波長的最佳剖面折射率分布參數差值Δα_opt為0.052～0.096。