[發(fā)明專利]半導(dǎo)體傳感器封裝體

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201611265163.8
• 申請(qǐng)日: 2016-12-30
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN108269765B
• 公開(kāi)（公告）日: 2021-11-26
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 周建
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 意法半導(dǎo)體有限公司
• 主分類號(hào): H01L23/10
• 分類號(hào): H01L23/10;H01L21/52
• 代理公司: 北京市金杜律師事務(wù)所 11256
• 代理人: 王茂華;張寧

一種用帽蓋封裝的封裝體。該封裝體的特征在于形成集成嵌入或集成在基底內(nèi)的鎖定機(jī)構(gòu)的多個(gè)溝槽、多個(gè)通孔和非導(dǎo)電耦接元件。該封裝體具有通過(guò)超聲波塑料焊接而耦接至該非導(dǎo)電耦接元件的帽蓋。該封裝體保護(hù)晶粒免受外界環(huán)境或外部應(yīng)力或兩者影響。期望一種用于形成封裝體以減少該封裝體中的溢膠缺陷的方法。該封裝體的制造包括：在基底中鉆孔；在該基底中形成溝槽；在這些通孔和這些溝槽中形成非導(dǎo)電耦接元件以形成鎖定機(jī)構(gòu)；允許該非導(dǎo)電耦接元件硬化并固化；將裸片或晶粒耦接至該基底，并且將帽蓋耦接至該非導(dǎo)電耦接元件，從而保護(hù)該裸片或晶粒免受外界環(huán)境或外部應(yīng)力或兩者影響。

技術(shù)領(lǐng)域

本披露涉及一種封裝體，該封裝體具有基底和通過(guò)形成在該基底中的多個(gè)耦接特征來(lái)耦接至該基底的帽蓋。

背景技術(shù)

封裝體經(jīng)常包括半導(dǎo)體裸片和基底，該基底提供在該基底與該半導(dǎo)體裸片上的觸頭之間的接口。該封裝體可以包括封料，用于將該封裝體的多個(gè)元件緊固到單個(gè)離散單元中。替代性地，封裝體可以包括在該基底上將該裸片封閉在腔室中的帽蓋。該帽蓋由粘膠耦接至該基底。通常將該粘膠施加至該基底，并且然后將該帽蓋放置在該粘膠上。然后允許該粘膠硬化并固化，從而將該帽蓋耦接至該基底并且保護(hù)該裸片免受外界環(huán)境或外部應(yīng)力或兩者影響。

遺憾的是，在將帽蓋放置在已經(jīng)被施加至基底以附接該帽蓋的粘膠上時(shí)，該基底和該裸片變得易受溢膠影響。粘膠的溢出可能覆蓋在該基底或該裸片上使該封裝體以最大容量工作所必需的關(guān)鍵部件，如，覆蓋接觸焊盤。封裝體的易碎性極大地增加了在制造工藝過(guò)程中處理這些封裝體的困難。不使用粘膠增加了來(lái)自每個(gè)制造批次的可行封裝體與半導(dǎo)體傳感器的總百分比。

發(fā)明內(nèi)容

一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例提供了一種能夠采用單一布局管理不同應(yīng)用方案的布置。

一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例可以涉及一種包括該驅(qū)動(dòng)器電路的對(duì)應(yīng)裝置(例如用于汽車領(lǐng)域的裝置，例如lambda加熱器)以及對(duì)應(yīng)的方法。

一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例可以提供一種能夠驅(qū)動(dòng)所有各種可能配置(例如N高壓側(cè)，P高壓側(cè)，N低壓側(cè))的電路，具有用于寬廣全領(lǐng)域應(yīng)用方案的能力。

與具有驅(qū)動(dòng)外部部件的有限可能性的解決方案相反(例如驅(qū)動(dòng)在高壓側(cè)或低壓側(cè)配置中外部NMOS，具有用于PMOS驅(qū)動(dòng)的不同電路)，一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例使其能夠采用單一布局驅(qū)動(dòng)N型或P型MOSFETs，導(dǎo)致電壓調(diào)節(jié)回路導(dǎo)通外部MOS的情形。

一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例可以因此能夠驅(qū)動(dòng)外部部件(例如MOSFETs，簡(jiǎn)稱MOS)的各種(名義上全部)可能配置。

一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例可以通過(guò)采用可以與各種現(xiàn)有應(yīng)用方案兼容并且由未來(lái)可能配置預(yù)期的(預(yù))驅(qū)動(dòng)器布局而免除現(xiàn)有解決方案的限制。

一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例可以允許節(jié)省硅面積，使用少量管腳并且增加電路靈活性。

一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例可以包括用于例如耦合至外部部件諸如MOS的柵極和源極的兩個(gè)輸出端子或管腳。

在一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例中一個(gè)管腳可以耦合至外部NMOS的柵極或者外部PMOS的源極，而另一個(gè)管腳耦合至外部NMOS的源極或者外部PMOS的柵極。

附圖說(shuō)明

在附圖中，完全相同的參考標(biāo)號(hào)標(biāo)識(shí)相似的元件或動(dòng)作，除非上下文另有指明。附圖中元件的大小和相對(duì)位置不一定按比例繪制。

圖1是半導(dǎo)體封裝體的實(shí)施例的俯視平面圖；

圖2是沿圖1的封裝體的線2-2截取的橫截面視圖；

圖3是沿圖4中的封裝體的線3-3截取的半導(dǎo)體封裝體的替代性實(shí)施例的橫截面視圖；

圖4是沿圖3的半導(dǎo)體封裝體的替代性實(shí)施例的線4-4截取的俯視平面圖；

圖5是封裝體的替代性實(shí)施例的橫截面視圖；