[發明專利]光電器件在審
| 申請號: | 201611264440.3 | 申請日: | 2016-12-30 |
| 公開(公告)號: | CN106601840A | 公開(公告)日: | 2017-04-26 |
| 發明(設計)人: | 林岳明 | 申請(專利權)人: | 蘇州愛彼光電材料有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/0392 | 分類號: | H01L31/0392;H01L33/16 |
| 代理公司: | 廣州華進聯合專利商標代理有限公司44224 | 代理人: | 唐清凱 |
| 地址: | 215215 江蘇省*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 光電 器件 | ||
1.一種光電器件,其特征在于,包括:
復合襯底,包括硅襯底層以及鍵合在所述硅襯底層上的藍寶石襯底層;
器件主體結構,形成所述藍寶石襯底層上;
以及驅動芯片,位于所述硅襯底層遠離所述藍寶石襯底層的一側。
2.根據權利要求1所述的光電器件,其特征在于,所述器件主體結構包括由氮化鎵晶體形成的外延層。
3.根據權利要求1所述的光電器件,其特征在于,所述復合襯底還包括生長在所述藍寶石襯底層上的硅膜;所述藍寶石襯底層通過所述硅膜與所述硅襯底層鍵合。
4.根據權利要求3所述的光電器件,其特征在于,所述硅膜的厚度為1~5μm。
5.根據權利要求1所述的光電器件,其特征在于,所述藍寶石襯底層的厚度為20μm。
6.根據權利要求1所述的光電器件,其特征在于,所述硅襯底層的厚度為600~1500μm。
7.根據權利要求1所述的光電器件,其特征在于,所述驅動芯片為硅基芯片。
8.根據權利要求1所述的光電器件,其特征在于,所述光電器件為LED器件。
9.根據權利要求1所述的光電器件,其特征在于,所述光電器件為LD器件。
10.根據權利要求1所述的光電器件,其特征在于,所述光電器件為光電探測器。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于蘇州愛彼光電材料有限公司,未經蘇州愛彼光電材料有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201611264440.3/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇:一種啁啾數字遞變結構的低缺陷異變緩沖層
- 下一篇:消磁電池板及安裝機構
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





