[發明專利]半導體裝置結構在審
| 申請號： | 201611264421.0 | 申請日： | 2016-12-30 |
| 公開（公告）號： | CN107017303A | 公開（公告）日： | 2017-08-04 |
| 發明（設計）人： | 林時彥;吳崇榮;劉繼文 | 申請（專利權）人： | 臺灣積體電路制造股份有限公司;林時彥 |
| 主分類號： | H01L29/78 | 分類號： | H01L29/78;H01L29/24;H01L29/45 |
| 代理公司： | 隆天知識產權代理有限公司72003 | 代理人： | 王芝艷 |
| 地址： | 中國臺*** | 國省代碼： | 臺灣;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 半導體 裝置 結構 | ||
【權利要求書】：
1.一種半導體裝置結構，包括:
一基底；
一半導體層，位于該基底上方，其中該半導體層包括過渡金屬硫屬化物；以及
一源極電極和一漏極電極，位于該半導體層上方并連接該半導體層，且通過一間隙彼此間隔開，其中該源極電極和該漏極電極由石墨烯制成。
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