[發(fā)明專利]一種包含串聯(lián)結構電介質(zhì)的高電容密度的電容器及其制備方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201611263030.7 | 申請日: | 2016-12-30 |
| 公開(公告)號: | CN108281284B | 公開(公告)日: | 2022-06-17 |
| 發(fā)明(設計)人: | 羅遂斌;于淑會;孫蓉 | 申請(專利權)人: | 中國科學院深圳先進技術研究院 |
| 主分類號: | H01G4/38 | 分類號: | H01G4/38;H01G13/00 |
| 代理公司: | 北京品源專利代理有限公司 11332 | 代理人: | 鞏克棟;侯桂麗 |
| 地址: | 518055 廣東省深圳*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 包含 串聯(lián) 結構 電介質(zhì) 電容 密度 電容器 及其 制備 方法 | ||
1.一種具有高電容密度的電容器的制備方法,其特征在于,所述電容器包括由正介電材料和負介電材料串聯(lián)組成的電介質(zhì),所述電介質(zhì)的厚度為2μm~100μm,所述電容器的電容密度為1.5nF/cm2~50nF/cm2,所述正介電材料的厚度為20μm~30μm,所述負介電材料的厚度為8μm~10μm,所述正介電材料的厚度大于所述負介電材料的厚度;
所述正介電材料的介電常數(shù)大于5,所述負介電材料的介電常數(shù)小于-5,記所述正介電材料的介電常數(shù)為M,所述負介電材料的介電常數(shù)為N,則︱M︱≤︱N︱;
所述正介電材料為介電常數(shù)為正值的聚合物基復合材料,所述介電常數(shù)為正值的聚合物基復合材料中包含導電填料,所述導電填料為導電金屬材料,所述導電金屬材料包括金、銀、銅、鐵、鎳、鋁、鋅或鉑中的任意一種或至少兩種的組合,所述導電填料在三個維度的尺寸為100nm~0.5μm;以所述介電常數(shù)為正值的聚合物基復合材料的總質(zhì)量為100wt%計,所述導電填料的質(zhì)量百分比為20wt%~80wt%;
所述負介電材料為介電常數(shù)為負值的聚合物基復合材料,所述介電常數(shù)為負值的聚合物基復合材料中包含導電填料,所述導電填料為導電碳材料,所述導電碳材料包括碳納米管、石墨烯、石墨、炭黑或碳纖維中的任意一種或至少兩種的組合,所述介電常數(shù)為負值的聚合物基復合材料中,所述導電填料在三個維度的尺寸為100nm~0.5μm;以所述介電常數(shù)為負值的聚合物基復合材料的總質(zhì)量為100wt%計,所述導電填料的質(zhì)量百分比為5wt%~20wt%;
所述制備方法為以下三個方案中的任意一種:
方案一:分別制備一面負載有正介電材料前驅(qū)體薄膜的電極和一面負載有負介電材料前驅(qū)體薄膜的電極,然后將一面負載有正介電材料前驅(qū)體薄膜的電極和一面負載有負介電材料前驅(qū)體薄膜的電極進行復合,使正介電材料前驅(qū)體薄膜和負介電材料前驅(qū)體薄膜接觸,然后固化,得到電容器;
方案二:制備一面負載有正介電材料前驅(qū)體薄膜的電極,然后在負載有正介電材料前驅(qū)體薄膜的電極的正介電材料前驅(qū)體薄膜一側(cè)制備負介電材料前驅(qū)體薄膜,再通過負介電材料前驅(qū)體薄膜一側(cè)與另一電極進行復合,然后固化,得到電容器;
方案三:制備一面負載有負介電材料前驅(qū)體薄膜的電極,然后在負載有負介電材料前驅(qū)體薄膜的電極的負介電材料前驅(qū)體薄膜一側(cè)制備正介電材料前驅(qū)體薄膜,再通過正介電材料前驅(qū)體薄膜與另一電極復合,然后固化,得到電容器;
所述復合均采用貼合機進行貼合;
所述制備一面負載有正介電材料的電極的過程包括以下步驟:
(1)將填料添加物、聚合物和溶劑混合,球磨,得到正介電材料前驅(qū)體漿料,所述填料添加物為導電填料,所述導電填料為導電金屬材料;
(2)采用正介電材料前驅(qū)體漿料,在電極的一面制備正介電材料,得到一面負載有正介電材料前驅(qū)體薄膜的電極;
所述制備一面負載有負介電材料前驅(qū)體薄膜的電極的過程包括以下步驟:
(1)’將導電填料、聚合物和溶劑混合,球磨,得到負介電材料前驅(qū)體漿料,所述導電填料為導電碳材料;
(2)’采用負介電材料前驅(qū)體漿料,在電極的一面制備負介電材料,得到一面負載有負介電材料前驅(qū)體薄膜的電極;
步驟(2)所述在電極的一面制備正介電材料前驅(qū)體薄膜的方法,步驟(2)’所述在電極的一面制備負介電材料前驅(qū)體薄膜的方法,方案二所述在負載有正介電材料前驅(qū)體薄膜的電極的正介電材料前驅(qū)體薄膜一側(cè)制備負介電材料前驅(qū)體薄膜的方法,以及方案三所述在負載有負介電材料前驅(qū)體薄膜的電極的負介電材料前驅(qū)體薄膜一側(cè)制備正介電材料前驅(qū)體薄膜的方法選自絲網(wǎng)印刷、噴涂、網(wǎng)輥涂布或逗號刮刀涂布中的任意一種。
2.如權利要求1所述的電容器的制備方法,其特征在于,由正介電材料和負介電材料串聯(lián)而組成的電介質(zhì)的厚度在2μm~50μm。
3.如權利要求1所述的電容器的制備方法,其特征在于,所述介電常數(shù)為正值的聚合物基復合材料中的聚合物為熱固性高分子化合物。
4.如權利要求3所述的電容器的制備方法,其特征在于,所述介電常數(shù)為正值的聚合物基復合材料中的聚合物為環(huán)氧樹脂、聚酰亞胺樹脂、酚醛樹脂或聚酯樹脂中的任意一種或至少兩種的組合。
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