[發(fā)明專利]光致發(fā)光顯示面板

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201611262897.0
• 申請日: 2016-12-30
• 公開（公告）號: CN106711255B
• 公開（公告）日: 2018-03-30
• 發(fā)明（設計）人: 馬亮
• 申請（專利權）人: 武漢華星光電技術有限公司
• 主分類號: H01L31/04
• 分類號: H01L31/04;H01L31/054
• 代理公司: 北京聿宏知識產(chǎn)權代理有限公司11372
• 代理人: 吳大建

1.一種光致發(fā)光顯示面板，包括陣列基板與背光光源，其特征在于，所述陣列基板被劃分為呈矩陣排列的多個子像素單元，在所述子像素單元內設置有：

半導體發(fā)光單元，對應于不同子像素單元的所述半導體發(fā)光單元，在所述背光光源的照射下分別發(fā)出不同顏色的色光；

透明電極，包括第一透明電極和第二透明電極，在所述第一透明電極和第二透明電極之間形成有存儲電容，所述存儲電容在分別與第一透明電極和第二透明電極相連接的第一金屬電極和第二金屬電極處形成有電場，所述電場作用于所述半導體發(fā)光單元以對不同顏色的色光的發(fā)光強度進行調制，利用調制后的所述不同顏色的色光進行畫面的顯示。

2.如權利要求1所述的光致發(fā)光顯示面板，其特征在于，對應于不同子像素單元的所述半導體發(fā)光單元，根據(jù)其發(fā)出的色光的顏色的不同采用不同帶隙的光致發(fā)光半導體材料。

3.如權利要求2所述的光致發(fā)光顯示面板，其特征在于，所述存儲電容在所述第一金屬電極和第二金屬電極處形成的電場為一個可變電場，所述可變電場與其所屬子像素單元在不同畫面幀中所具有的灰階值相對應。

4.如權利要求3所述的光致發(fā)光顯示面板，其特征在于，所述可變電場的變化包括電場強度的變化和/或電場方向的變化。

5.如權利要求1至4中任一項所述的光致發(fā)光顯示面板，其特征在于，在所述陣列基板上對應于各子像素單元的邊界處設置有掃描線與數(shù)據(jù)線，在所述子像素單元內設置有薄膜晶體管；

所述薄膜晶體管的柵極與所述掃描線相連接，其源極與所述數(shù)據(jù)線相連接，其漏極作為所述第二金屬電極；

公共電極作為所述第一金屬電極；

所述第一金屬電極、所述第二金屬電極與所述半導體發(fā)光單元同層設置，且形成于所述第一金屬電極與第二金屬電極之間的電場能夠作用于所述半導體發(fā)光單元；

通過數(shù)據(jù)線改變施加于第二金屬電極的信號電壓的數(shù)值以改變所形成的電場的強度。

6.如權利要求5所述的光致發(fā)光顯示面板，其特征在于，在所述第一透明電極與所述第二透明電極之間設置有至少一層絕緣層，在當前行的掃描線關閉時，由所述至少一層絕緣層、第一透明電極與第二透明電極所形成的存儲電容來維持所述電場的強度。

7.如權利要求1至4中任一項所述的光致發(fā)光顯示面板，其特征在于，在所述陣列基板上對應于各子像素單元的邊界處還設置有遮光單元。

8.如權利要求7所述的光致發(fā)光顯示面板，其特征在于，所述遮光單元與所述半導體發(fā)光單元同層設置。

9.如權利要求1至4中任一項所述的光致發(fā)光顯示面板，其特征在于，所述背光光源的波長小于所述半導體發(fā)光單元所發(fā)出的不同顏色的色光的波長。

10.如權利要求2所述的光致發(fā)光顯示面板，其特征在于，用于發(fā)出紅色光的半導體材料包括CdSe或GaAs，用于發(fā)出綠色光的半導體材料包括CdS，用于發(fā)出藍色光的半導體材料包括ZnS或GaN。