[發明專利]坩堝裝置有效
| 申請號： | 201611262359.1 | 申請日： | 2016-12-30 |
| 公開（公告）號： | CN106637410B | 公開（公告）日： | 2019-03-26 |
| 發明（設計）人： | 楊翠柏;方聰;陳丙振;楊光輝 | 申請（專利權）人： | 珠海鼎泰芯源晶體有限公司 |
| 主分類號： | C30B29/36 | 分類號： | C30B29/36;C30B23/00 |
| 代理公司： | 北京鴻元知識產權代理有限公司 11327 | 代理人： | 陳英俊;楊樺 |
| 地址： | 519085 廣東省珠海市*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 坩堝蓋 坩堝本體 坩堝裝置 頂部開口 內表面 中空部 減小 桶壁 籽晶 晶體生長過程 徑向溫度梯度 內表面中心處 受熱均勻性 碳化硅籽晶 溫度均勻性 填充物 導熱系數 容置空間 中空部位 中央區域 均勻性 熱應力 蓋設 盛放 桶形 填充 背離 生長 | ||
1.一種坩堝裝置，其特征在于，包括：
坩堝本體，呈桶形，具有桶底、桶壁和頂部開口，其中所述桶底和桶壁圍成用于盛放物料的容置空間；
坩堝蓋，蓋設于所述坩堝本體的頂部開口，所述坩堝蓋具有朝向所述桶底的內表面和背離所述桶底的外表面，所述坩堝蓋內至少在中央區域設有中空部，所述中空部位于所述坩堝蓋的內表面和外表面之間，所述中空部內填充有導熱系數高于所述坩堝蓋的填充物，所述填充物是石墨烯。
2.如權利要求1所述的坩堝裝置，其特征在于，所述中空部呈圓盤形，且其圓心在所述坩堝蓋的中心線上。
3.如權利要求2所述的坩堝裝置，其特征在于，所述坩堝蓋呈圓盤形，所述坩堝蓋與所述中空部的半徑之差為1.63～2.93厘米；和/或所述坩堝蓋的內表面與所述中空部之間的厚度為6～16毫米。
4.如權利要求2所述的坩堝裝置，其特征在于，所述坩堝蓋與所述中空部的半徑之差為1.65厘米；和/或所述坩堝蓋的內表面與所述中空部之間的厚度為10毫米。
5.如權利要求1所述的坩堝裝置，其特征在于，所述坩堝本體和/或所述坩堝蓋由石墨制成，和/或所述填充物由石墨烯制成。
6.如權利要求1所述的坩堝裝置，其特征在于，所述坩堝蓋的內表面的外周設有內凸環。
7.如權利要求1所述的坩堝裝置，其特征在于，所述坩堝蓋的外表面的外周設有外凸環。
8.如權利要求1-7任一項所述的坩堝裝置，其特征在于，所述中空部內設有一個或多個同心布置的感應環。
9.如權利要求8所述的坩堝裝置，其特征在于，所述感應環的數量為多個，在沿著由所述中空部的中心向外周方向上，多個所述感應環中相鄰兩個所述感應環之間的距離逐漸變大；或者相鄰兩個所述感應環之間的距離相等。
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