[發明專利]n型III族氮化物半導體材料及其制備方法

在審

• 申請號: 201611261898.3
• 申請日: 2016-12-30
• 公開（公告）號: CN108269731A
• 公開（公告）日: 2018-07-10
• 發明（設計）人: 張育民;王建峰;徐科;任國強;徐俞;蔡德敏;胡曉劍
• 申請（專利權）人: 蘇州納維科技有限公司
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02
• 代理公司: 蘇州國誠專利代理有限公司 32293
• 代理人: 韓鳳

1.一種n型III族氮化物半導體材料，其特征在于，所述n型III族氮化物半導體材料中摻雜有第一摻雜源X和第二摻雜源Y，所述第一摻雜源X和第二摻雜源Y選自第IV族和第VI族中的元素；

所述第一摻雜源X的含量大于10％S，所述第二摻雜元Y的含量大于10％S，且所述第一摻雜源X和第二摻雜源Y的含量之和小于等于100％S，所述S為總的n型元素摻雜量，所述n型III族氮化物半導體材料的厚度不小于15μm。

2.根據權利要求1所述的n型III族氮化物半導體材料，其特征在于，所述第一摻雜源X和第二摻雜源Y選自：Si、Ge、Sn、O、S。

3.根據權利要求2所述的n型III族氮化物半導體材料，其特征在于，所述第一摻雜源X為Si，所述第二摻雜源Y為Ge。

4.根據權利要求3所述的n型III族氮化物半導體材料，其特征在于，所述Si:Ge＝(1:3)～(3:1)。

5.根據權利要求1所述的n型III族氮化物半導體材料，其特征在于，所述III族氮化物半導體材料為GaN、AlN、InN、AlGaN、GaInN、AlInN和AlGaInN中的一種。

6.一種n型III族氮化物半導體材料，其特征在于，所述n型III族氮化物半導體材料中摻雜有第一摻雜源X、第二摻雜源Y、……、第N摻雜源Z，所述第一摻雜源X、第二摻雜源Y、……、第N摻雜源Z選自第IV族和第VI族中的元素，所述N＞2；

所述第一摻雜源X的含量大于10％S，所述第二摻雜元Y的含量大于10％S、……、所述第N摻雜源Z的含量大于10％S，且所述第一摻雜源X、第二摻雜源Y、……、第N摻雜源Z的含量之和小于等于100％S，所述S為總摻雜量，所述n型III族氮化物半導體材料的厚度不小于15μm。

7.一種n型III族氮化物半導體材料的制備方法，其特征在于，所述制備方法包括如下步驟：

S1、向反應室內通入反應氣，與反應源反應；

S2、向反應室內的第一摻雜源X中通入反應氣，得到第一摻雜氣體；

S3、向反應室內的第二摻雜源Y中通入反應氣，得到第二摻雜氣體；

S4、第一摻雜氣體、第二摻雜氣體以及反應氣與反應源的產物與NH₃反應，在襯底區域得到X、Y共摻雜的n型III族氮化物半導體材料。