[發(fā)明專利]提升集成電路角落處硅片使用效率的方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201611261578.8
• 申請(qǐng)日: 2016-12-30
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN106783731B
• 公開(kāi)（公告）日: 2019-09-06
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 唐立偉;任軍
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 合肥恒爍半導(dǎo)體有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/768
• 分類號(hào): H01L21/768;H01L21/66;H01L21/54
• 代理公司: 暫無(wú)信息
• 代理人: 暫無(wú)信息

1.一種提升集成電路角落處硅片使用效率的方法，其特征在于，所述提升集成電路角落處硅片使用效率的方法包括以下步驟：

步驟一，角落放置電源和地的環(huán)線，用符合挖槽設(shè)計(jì)規(guī)則的金屬連線銜接兩個(gè)互為垂直方向的端口所對(duì)應(yīng)的電源線和地線；

步驟二，在步驟一所述電源線的金屬線的正下方放置用于防止閂鎖效應(yīng)的N-Well及N-tap，打上足夠多的歐姆接觸，并通過(guò)金屬及過(guò)孔連至所述電源線；

步驟三，在步驟一所述地線的金屬線的正下方放置用于防止閂鎖效應(yīng)的P-Well及P-tap，打上足夠多的歐姆接觸，并通過(guò)金屬及過(guò)孔連至所述地線；

步驟四，在符合晶圓代工廠防止閂鎖效應(yīng)設(shè)計(jì)規(guī)則的條件下修改前面步驟一至步驟三；

步驟五，按照晶圓代工廠版圖圖層設(shè)計(jì)規(guī)則繪制符合最小規(guī)則的測(cè)試版圖，將這些待測(cè)試的圖層繪制的版圖放置在集成電路的角落；

步驟六，放置該集成電路信息的標(biāo)記或者用于集成電路封裝時(shí)定位的標(biāo)記；

步驟七，如果想要測(cè)試晶圓代工廠的某項(xiàng)工藝參數(shù)，設(shè)計(jì)特定的電路并連上金屬焊點(diǎn)，把這個(gè)模塊放置在集成電路的角落，等待流片回來(lái)測(cè)試；

步驟八，在角落放置電源或者地管腳的焊點(diǎn)，同時(shí)放置對(duì)應(yīng)防靜電的保護(hù)電路，并連接到角落內(nèi)對(duì)應(yīng)電源或者地的金屬線。

2.如權(quán)利要求1所述的提升集成電路角落處硅片使用效率的方法，其特征在于，所述角落的數(shù)量為一個(gè)或二個(gè)或三個(gè)或四個(gè)，其中，各個(gè)所述角落內(nèi)所放置的電路可以完全相同、部分相同或者完全不同。

3.如權(quán)利要求1所述的提升集成電路角落處硅片使用效率的方法，其特征在于，當(dāng)所述角落的電路與內(nèi)核區(qū)域電路電源、時(shí)鐘共用或者控制信號(hào)數(shù)據(jù)交流交換時(shí)，所述提升集成電路角落處硅片使用效率的方法在集成電路的角落與相鄰的一側(cè)或者兩側(cè)加入一個(gè)填充單元，需要互連的通過(guò)填充單元實(shí)現(xiàn)角落處電路與內(nèi)核區(qū)域電路的電源、地、時(shí)鐘的共用以及信號(hào)流通、數(shù)據(jù)交換；同時(shí)該填充單元還要保持左右兩側(cè)的電源線、地線、保護(hù)環(huán)原本需要左右互連的銜接上。