[發(fā)明專利]一種納米材料、制備方法及半導(dǎo)體器件

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201611260234.5
• 申請日: 2016-12-30
• 公開（公告）號: CN108269934A
• 公開（公告）日: 2018-07-10
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 劉政;楊一行;錢磊
• 申請（專利權(quán)）人: TCL集團股份有限公司
• 主分類號: H01L51/50
• 分類號: H01L51/50;H01L51/56;B82Y30/00;B82Y40/00
• 代理公司: 深圳市君勝知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 44268
• 代理人: 王永文;劉文求

1.一種納米材料，其特征在于，所述納米材料包括N個在徑向方向上依次排布的納米結(jié)構(gòu)單元，其中N≥2；

所述納米結(jié)構(gòu)單元包括A1和A2類型，所述A1類型為徑向方向上能級寬度一致的均一組分結(jié)構(gòu)；所述A2類型為徑向方向上越向外能級寬度越寬的漸變合金組分結(jié)構(gòu)；

所述納米材料的內(nèi)部由至少一層A1類型的納米結(jié)構(gòu)單元組成，所述納米材料的外部由至少一層A2類型的納米結(jié)構(gòu)單元組成；

在徑向方向上相鄰的納米結(jié)構(gòu)單元中，靠近納米材料中心的納米結(jié)構(gòu)單元的能級寬度不大于遠(yuǎn)離納米材料中心的納米結(jié)構(gòu)單元的能級寬度，且相鄰的漸變合金組分結(jié)構(gòu)的量子點結(jié)構(gòu)單元的能級是連續(xù)的。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的納米材料，其特征在于，所述A1類型的量子點結(jié)構(gòu)單元為包含II族和VI族元素的均一合金組分結(jié)構(gòu)，所述A2類型的量子點結(jié)構(gòu)單元為包含II族和VI族元素的漸變合金組分結(jié)構(gòu)。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的納米材料，其特征在于，所述A1類型的納米結(jié)構(gòu)單元的合金組分為Cd_x0Zn_1-x0Se_y0S_1-y0，其中0≤x0≤1，0≤y0≤1，并且x0和y0不同時為0和不同時為1，且x0和y0在相應(yīng)A1類型的納米結(jié)構(gòu)單元內(nèi)為固定值。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的納米材料，其特征在于，所述A2類型的納米結(jié)構(gòu)單元的合金組分組成為Cd_x1Zn_1-x1Se_y1S_1-y1，其中0≤x1≤1，0≤y1≤1，并且x1和y1不同時為0和不同時為1。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的納米材料，其特征在于，所述A2類型的納米結(jié)構(gòu)單元中，A點的合金組分分別為Cd _x1^AZn_{1- x1}^ASe _y1^AS_{1- y1}^A，B點的合金組分為Cd _x1^BZn_{1- x1}^BSe _y1^BS_{1- y1}^B，其中A點相對于B點更靠近納米材料中心，且A點和B點的組成滿足：_x1^A> _x1^B，_y1^A> _y1^B。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的納米材料，其特征在于，所述納米結(jié)構(gòu)單元包含2-20層的單原子層，或者所述納米結(jié)構(gòu)單元包含1-10層的晶胞層。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的納米材料，其特征在于，在徑向方向上相鄰的納米結(jié)構(gòu)單元交界處的兩個單原子層之間形成連續(xù)合金組分結(jié)構(gòu)，或者在徑向方向上相鄰的納米結(jié)構(gòu)單元交界處的兩個晶胞層之間形成連續(xù)合金組分結(jié)構(gòu)。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的納米材料，其特征在于，所述納米材料的發(fā)光峰波長范圍為400納米至700納米。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的納米材料，其特征在于，所述納米材料的發(fā)光峰的半高峰寬為12納米至80納米。

10.一種如權(quán)利要求1所述的納米材料的制備方法，其特征在于，包括步驟：

在預(yù)定位置處合成第一種化合物；

在第一種化合物的表面合成第二種化合物，所述第一種化合物與所述第二種化合物的合金組分相同或者不同；

使第一種化合物和第二種化合物體之間發(fā)生陽離子交換反應(yīng)形成納米材料，所述納米材料的發(fā)光峰波長先不變，而后出現(xiàn)藍(lán)移。