[發明專利]氮化鎵基功率開關器件及其制作方法

在審

• 申請號: 201611260109.4
• 申請日: 2016-12-30
• 公開（公告）號: CN106601798A
• 公開（公告）日: 2017-04-26
• 發明（設計）人: 康玄武;劉新宇;黃森;王鑫華;魏珂
• 申請（專利權）人: 中國科學院微電子研究所
• 主分類號: H01L29/732
• 分類號: H01L29/732;H01L21/02;H01L21/331
• 代理公司: 北京匯澤知識產權代理有限公司11228
• 代理人: 張瑾

1.一種氮化鎵基功率開關器件的制作方法，其特征在于，包括：

在輕摻雜N型氮化鎵外延片上方生長P型氮化鎵外延層；

對所述P型氮化鎵外延層和所述輕摻雜N型氮化鎵外延片進行刻蝕，以形成貫穿于所述P型氮化鎵外延層或貫穿于所述P型氮化鎵外延層并伸入所述輕摻雜N型氮化鎵外延片中的場環結構；

在含有所述場環結構的P型氮化鎵外延層上方生長輕摻雜N型氮化鎵外延層；

其中，所述場環結構包括至少一個槽形結構。

2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述在輕摻雜N型氮化鎵外延片上方生長P型氮化鎵外延層包括：

利用金屬有機化合物化學氣相沉積法、分子束外延法或者氫化物氣相外延法在所述輕摻雜N型氮化鎵外延片上方生長所述P型氮化鎵外延層。

3.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，在所述對所述P型氮化鎵外延層和所述輕摻雜N型氮化鎵外延片進行刻蝕之前，還包括：

在所述P型氮化鎵外延層的表面覆蓋阻擋層。

4.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述P型氮化鎵外延層的厚度小于所述輕摻雜N型氮化鎵外延片的厚度。

5.根據權利要求3所述的方法，其特征在于，所述阻擋層為氧化硅或者氮化硅。

6.一種氮化鎵基功率開關器件，其特征在于，包括：輕摻雜N型氮化鎵外延片、所述輕摻雜N型氮化鎵外延片上方生長出的P型氮化鎵外延層、所述P型氮化鎵外延層上方生長出的輕摻雜N型氮化鎵外延層以及貫穿于所述P型氮化鎵外延層或貫穿于所述P型氮化鎵外延層并伸入所述輕摻雜N型氮化鎵外延片的場環結構，其中，所述場環結構包括至少一個槽形結構。

7.根據權利要求6所述的器件，其特征在于，所述輕摻雜N型氮化鎵外延片上方生長出的P型氮化鎵外延層是利用金屬有機化合物化學氣相沉積法、分子束外延法或者氫化物氣相外延法形成的。

8.根據權利要求6所述的器件，其特征在于，所述P型氮化鎵外延層的表面覆蓋有阻擋層。

9.根據權利要求6所述的器件，其特征在于，所述P型氮化鎵外延層的厚度小于所述輕摻雜N型氮化鎵外延片的厚度。

10.根據權利要求8所述的器件，其特征在于，所述阻擋層為氧化硅或者氮化硅。