[發(fā)明專利]用于X射線檢測(cè)器的陣列基板以及包括其的X射線檢測(cè)器

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201611260049.6
• 申請(qǐng)日: 2016-12-30
• 公開（公告）號(hào): CN107068701B
• 公開（公告）日: 2020-12-18
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 尹載皓
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 樂(lè)金顯示有限公司
• 主分類號(hào): H01L27/146
• 分類號(hào): H01L27/146;H01L23/544
• 代理公司: 北京集佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227
• 代理人: 蔡勝有;董文國(guó)

本公開涉及用于X射線檢測(cè)器的陣列基板以及包括其的X射線檢測(cè)器。陣列基板限定為有源區(qū)和焊盤區(qū)，其中焊盤區(qū)包括多個(gè)測(cè)試區(qū)，測(cè)試區(qū)包括第一測(cè)試圖案和第二測(cè)試圖案。第一測(cè)試圖案包括：在基板上的第一柵電極；在第一柵電極上的第一有源層；在第一有源層上的第一源/漏電極；以及在第一源/漏電極上的第一數(shù)據(jù)線，并且第二測(cè)試圖案包括：在基板上的第一下電極，在第一下電極上的第一光電導(dǎo)層；以及在第一光電導(dǎo)層上的第一上電極，從而以高精度測(cè)量晶體管和光檢測(cè)器中的每一個(gè)的特性。

技術(shù)領(lǐng)域

本公開涉及用于X射線檢測(cè)器的陣列基板和包括該陣列基板的X射線檢測(cè)器，更具體地，涉及能夠以高精度分別測(cè)量X射線檢測(cè)器的晶體管和光檢測(cè)器的特性的用于X射線檢測(cè)器的陣列基板和包括該陣列基板的X射線檢測(cè)器。

背景技術(shù)

廣泛用于醫(yī)療診斷的X射線檢驗(yàn)方法需要X射線感測(cè)膠片和膠片打印時(shí)間來(lái)獲得結(jié)果。

然而，近來(lái)，由于半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展，已經(jīng)研究和開發(fā)了使用薄膜晶體管(TFT)的數(shù)字X射線檢測(cè)器。數(shù)字X射線檢測(cè)器通過(guò)利用TFT作為開關(guān)裝置有利地在拍攝X射線之后立即實(shí)時(shí)地診斷結(jié)果。

通常，在數(shù)字X射線檢測(cè)器中使用兩種不同的類型：直接型DXD方法和間接型DXD方法。直接型DXD方法是檢測(cè)由TFT的像素電極從硒層接收到的盡可能多的電荷形成的電流，并且使用包括堆疊在TFT陣列基板上的非晶Se層以及形成在非晶Se層上的透明電極的結(jié)構(gòu)來(lái)執(zhí)行信號(hào)處理工序。間接型DXD方法是通過(guò)PIN二極管將可見射線轉(zhuǎn)換成電信號(hào)，并且當(dāng)通過(guò)閃爍體將X射線轉(zhuǎn)換成可見射線時(shí)執(zhí)行一系列信號(hào)處理工序。

近來(lái)，使用間接型DXD方法的X射線檢測(cè)器最受關(guān)注。X射線檢測(cè)器包括形成在陣列基板上的用于檢測(cè)X射線的光二極管以及設(shè)置在該光二極管上的閃爍體。

圖1是示出X射線檢測(cè)器中的閃爍體的銫施加區(qū)2的示意圖。圖2是存在于常規(guī)X射線檢測(cè)器中的陣列基板外的測(cè)試圖案的示意圖。如圖1所示，閃爍體的銫施加區(qū)2形成在陣列基板1的有源區(qū)上，使得銫施加區(qū)2不與用于將COF與陣列基板的信號(hào)線連接的連接線3交疊。在這一點(diǎn)上，存在下述問(wèn)題：銫成分腐蝕薄膜晶體管的陣列基板1的金屬線，因此陣列基板的有源區(qū)的最上層通常由有機(jī)層保護(hù)。因此，如圖2所示，測(cè)試圖案添加到陣列基板外的基礎(chǔ)基板的片材的邊緣部分，從而評(píng)價(jià)面板特性。然而，添加到基礎(chǔ)基板的片材的邊緣部分的測(cè)試圖案遠(yuǎn)離陣列基板的有源區(qū)，因此測(cè)試精度降低。

另外，在X射線檢測(cè)器中，由于結(jié)構(gòu)特性，薄膜晶體管和光二極管存在于一個(gè)像素中，因此薄膜晶體管和光二極管二者的特性一起示出。因此，難以評(píng)價(jià)薄膜晶體管和光二極管中的每一個(gè)的獨(dú)特特性。因此，有必要解決這個(gè)問(wèn)題。

發(fā)明內(nèi)容

因此，本公開涉及X射線檢測(cè)器的陣列基板以及包括該陣列基板的X射線檢測(cè)器，其基本上消除了由于現(xiàn)有技術(shù)的限制和缺點(diǎn)而造成的一個(gè)或更多個(gè)問(wèn)題。

本公開的一個(gè)目的是提供一種用于X射線檢測(cè)器的陣列基板，其能夠以高精度單獨(dú)地測(cè)量X射線檢測(cè)器的晶體管和光檢測(cè)器的特性。

另外，本公開的另一個(gè)目的是提供一種包括陣列基板的X射線檢測(cè)器。

本公開的目的不限于上述目的，并且可以由本領(lǐng)域技術(shù)人員根據(jù)以下描述意識(shí)到其他目的和優(yōu)點(diǎn)。此外，應(yīng)容易理解的是，可以通過(guò)在所附權(quán)利要求和所附權(quán)利要求的組合中記載的裝置來(lái)實(shí)踐本公開的目的和優(yōu)點(diǎn)。

根據(jù)本公開的一個(gè)方面，提供一種用于X射線檢測(cè)器的陣列基板，該陣列基板限定為有源區(qū)和焊盤區(qū)(在本公開中，“焊盤區(qū)”也稱為“焊盤部”，其實(shí)際上可包括設(shè)置在該區(qū)域中的各構(gòu)件)，其中焊盤區(qū)包括多個(gè)測(cè)試區(qū)，所述多個(gè)測(cè)試區(qū)包括第一測(cè)試圖案和第二測(cè)試圖案，所述第一測(cè)試圖案包括：在基板上的第一柵電極；在第一柵電極上的第一有源層；在第一有源層上的第一源/漏電極；以及在第一源/漏電極上的第一數(shù)據(jù)線，第二測(cè)試圖案包括：在基板上的第一下電極；在第一下電極上的第一光電導(dǎo)層；以及在第一光電導(dǎo)層上的第一上電極。