[發明專利]開關電源及其的前饋補償電路

有效

• 申請號: 201611259794.9
• 申請日: 2016-12-30
• 公開（公告）號: CN108270357B
• 公開（公告）日: 2020-03-31
• 發明（設計）人: 吳克柔;王文情
• 申請（專利權）人: 比亞迪股份有限公司
• 主分類號: H02M3/335
• 分類號: H02M3/335
• 代理公司: 北京清亦華知識產權代理事務所(普通合伙) 11201
• 代理人: 張潤

1.一種開關電源的前饋補償電路，其特征在于，包括：

負電壓識別模塊，所述負電壓識別模塊用于根據所述開關電源的次級消磁時間對所述開關電源的反饋管腳上的電壓進行負電壓識別以獲取與所述開關電源的初級輸入線電壓對應的反饋電流；

電流鏡像模塊，所述電流鏡像模塊用于根據所述反饋電流通過電流鏡像以產生補償電流，并根據所述開關電源中功率開關管的導通時間對所述補償電流進行限制以獲取限制后的補償電流；

電流疊加模塊，所述電流疊加模塊用于將所述限制后的補償電流疊加到所述開關電源的過流檢測管腳上，以對所述功率開關管的電流進行前饋補償；

所述電流鏡像模塊包括：

偏置電壓提供單元，所述偏置電壓提供單元用于根據第一基準電流提供偏置電壓；

第一級電流鏡像單元，所述第一級電流鏡像單元用于根據所述偏置電壓對所述反饋電流進行第一級電流鏡像以輸出所述補償電流；

第二級電流鏡像單元，所述第二級電流鏡像單元用于根據所述功率開關管的導通時間對所述補償電流進行限制以輸出所述限制后的補償電流；

第三級電流鏡像單元，所述第三級電流鏡像單元對所述限制后的補償電流進行復制以將所述限制后的補償電流輸出至所述電流疊加模塊。

2.如權利要求1所述的開關電源的前饋補償電路，其特征在于，所述偏置電壓提供單元包括：

第一MOS管，所述第一MOS管的漏極與所述第一基準電流的輸出端相連，所述第一MOS管的柵極分別與所述第一MOS管的漏極和所述第二級電流鏡像單元相連；

第二MOS管，所述第二MOS管的柵極分別與所述第一MOS管的源極、所述第二MOS管的漏極和所述第一級電流鏡像單元相連，所述第二MOS管的源極接地。

3.如權利要求2所述的開關電源的前饋補償電路，其特征在于，所述第一級電流鏡像單元包括：

第三MOS管，所述第三MOS管的柵極與所述偏置電壓提供單元相連，所述第三MOS管的源極與所述開關電源的反饋管腳相連；

第四MOS管和第五MOS管，所述第四MOS管的源極與所述第三MOS管的漏極相連，所述第四MOS管的柵極分別與所述負電壓識別模塊和所述第五MOS管的柵極相連，所述第五MOS管的源極與所述第二級電流鏡像單元相連；

第六MOS管和第七MOS管，所述第六MOS管的柵極分別與所述第六MOS管的源極、所述第四MOS管的漏極和所述第七MOS管的柵極相連，所述第七MOS管的源極與所述第五MOS管的漏極相連；

第八MOS管和第九MOS管，所述第八MOS管的柵極分別與所述第八MOS管的源極、所述第六MOS管的漏極和所述第九MOS管的柵極相連，所述第九MOS管的源極與所述第七MOS管的漏極相連，所述第九MOS管的漏極與所述第八MOS管的漏極相連。

4.如權利要求3所述的開關電源的前饋補償電路，其特征在于，所述第二級電流鏡像單元包括：

第十MOS管和第十一MOS管，所述第十MOS管的漏極與所述第一級電流鏡像單元相連，所述第十MOS管的柵極與所述偏置電壓提供單元相連，所述第十一MOS管的漏極與所述第十MOS管的源極相連，所述第十一MOS管的柵極與所述第十MOS管的漏極相連，所述第十一MOS管的源極接地；

第一非門，所述第一非門的輸入端與所述功率開關管的導通時間的輸出端相連；

第十二MOS管，所述第十二MOS管的柵極與所述第一非門的輸出端相連，所述第十二MOS管的源極接所述地；

第一電容，所述第一電容的一端分別與第二基準電流的輸出端和所述第十二MOS管的漏極相連，所述第一電容的另一端接所述地；

第十三MOS管和第十四MOS管，所述第十三MOS管的柵極與所述第十MOS管的柵極相連，所述第十四MOS管的柵極與所述第十一MOS管的柵極相連，所述第十四MOS管的漏極與所述第十三MOS管的源極相連，所述第十四MOS管的源極接所述地；

第十五MOS管，所述第十五MOS管的柵極與所述第一電容的一端相連，所述第十五MOS管的源極與所述第十三MOS管的漏極相連，所述第十五MOS管的漏極與所述第三級電流鏡像單元相連。