[發明專利]一種發光材料、制備方法及半導體器件

在審

• 申請號: 201611259500.2
• 申請日: 2016-12-30
• 公開（公告）號: CN108264904A
• 公開（公告）日: 2018-07-10
• 發明（設計）人: 楊一行;劉政;錢磊;程陸玲
• 申請（專利權）人: TCL集團股份有限公司
• 主分類號: C09K11/88
• 分類號: C09K11/88;C09K11/56;C09K11/02;B82Y20/00;B82Y30/00;B82Y40/00;H01L51/50
• 代理公司: 深圳市君勝知識產權代理事務所(普通合伙) 44268
• 代理人: 王永文;劉文求

1.一種發光材料，其特征在于，所述發光材料包含N個在徑向方向上依次排布的發光單元，其中N≥1；

所述發光單元為徑向方向上越向外能級寬度越窄的漸變合金組分結構；

相鄰的發光單元的能級是不連續的。

2.根據權利要求1所述的發光材料，其特征在于，所述發光材料中，靠近中心的發光單元的能級寬度大于遠離中心的發光單元的能級寬度。

3.根據權利要求1所述的發光材料，其特征在于，所述發光單元為包含II族和VI族元素的漸變合金組分結構。

4.根據權利要求3所述的發光材料，其特征在于，所述發光單元的合金組分為Cd_xZn_1-xSe_yS_1-y，其中0≤x≤1，0≤y≤1，并且x和y不同時為0和不同時為1。

5.根據權利要求4所述的發光材料，其特征在于，所述發光單元中，A點的合金組分為Cd_x^AZn_1-x^ASe_y^AS_1-y^A，B點的合金組分為Cd_x^BZn_1-x^BSe_y^BS_1-y^B，其中A點相對于B點更靠近發光材料中心，且A點和B點的組成滿足：_x^A＜_x^B，_y^A＜_y^B。

6.根據權利要求1所述的發光材料，其特征在于，所述發光單元包含2-20層的單原子層，或者所述發光單元包含1-10層的晶胞層。

7.根據權利要求6所述的發光材料，其特征在于，在徑向方向上相鄰的發光單元交界處的兩個單原子層之間形成突變結構，或者在徑向方向上相鄰的發光單元交界處的兩個晶胞層之間形成突變結構。

8.根據權利要求1所述的發光材料，其特征在于，所述發光材料的發光峰波長范圍為400納米至700納米。

9.根據權利要求1所述的發光材料，其特征在于，所述發光材料的發光峰的半高峰寬為12納米至80納米。

10.一種如權利要求1所述的發光材料的制備方法，其特征在于，包括步驟：

在預定位置處合成第一種化合物；

在第一種化合物的表面合成第二種化合物，所述第一種化合物與所述第二種化合物的合金組分相同或不同；

使第一種化合物和第二種化合物體之間發生陽離子交換反應形成合金材料，所述發光材料的發光峰波長出現間斷的紅移。

11.根據權利要求10所述的發光材料的制備方法，其特征在于，所述第一種化合物和/或所述第二種化合物的陽離子前驅體包括Zn的前驅體，所述Zn的前驅體為二甲基鋅、二乙基鋅、醋酸鋅、乙酰丙酮鋅、碘化鋅、溴化鋅、氯化鋅、氟化鋅、碳酸鋅、氰化鋅、硝酸鋅、氧化鋅、過氧化鋅、高氯酸鋅、硫酸鋅、油酸鋅或硬脂酸鋅中的至少一種。

12.根據權利要求10所述的發光材料的制備方法，其特征在于，所述第一種化合物和/或所述第二種化合物的陽離子前驅體包括Cd的前驅體，所述Cd的前驅體為二甲基鎘、二乙基鎘、醋酸鎘、乙酰丙酮鎘、碘化鎘、溴化鎘、氯化鎘、氟化鎘、碳酸鎘、硝酸鎘、氧化鎘、高氯酸鎘、磷酸鎘、硫酸鎘、油酸鎘或硬脂酸鎘中的至少一種。