[發(fā)明專利]熱電離飛行時間質(zhì)譜測定硼同位素的分析裝置及方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201611259227.3
• 申請日: 2016-12-30
• 公開（公告）號: CN108267497A
• 公開（公告）日: 2018-07-10
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 謝勝凱;郭冬發(fā);譚靖;劉桂方;范增偉;胡勇;丁楠
• 申請（專利權(quán)）人: 核工業(yè)北京地質(zhì)研究院
• 主分類號: G01N27/62
• 分類號: G01N27/62
• 代理公司: 核工業(yè)專利中心 11007
• 代理人: 高尚梅

1.一種熱電離飛行時間質(zhì)譜測定硼同位素的分析裝置，其特征在于：包括熱電離離子源(1)、閘板閥(2)、靜電透鏡(3)、推斥板(4)、法拉第杯(5)、加速電壓(6)、無場漂移區(qū)(7)、柵極電壓(8)、反射電壓(9)、檢測器(10)、檢測高壓電路(11)；熱電離離子源(1)與靜電透鏡(3)之間設(shè)有閘板閥(2)，熱電離離子源(1)產(chǎn)生的離子通過閘板閥(2)后通過靜電透鏡(3)進行聚焦，聚焦后的離子在加在推斥板(4)上的脈沖電壓的作用下進行偏轉(zhuǎn)進入加速區(qū)，然后離子按照圖中虛線所示經(jīng)過無場漂移區(qū)(7)等最終到達檢測器(10)；當(dāng)推斥板(4)上無電壓時離子直接被法拉第杯(5)接收；加速電壓(6)的下方為無場漂移區(qū)(7)，檢測器(10)與加速電壓(6)并列位于無場漂移區(qū)(7)上方，檢測器(10)上設(shè)有檢測高壓電路(11)；無場漂移區(qū)(7)的下方為柵極電壓(8)，柵極電壓(8)的下方為反射電壓(9)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種熱電離飛行時間質(zhì)譜測定硼同位素的分析裝置，其特征在于：所述熱電離離子源(1)包括上邊帶(12)、中間帶(13)、下邊帶(14)、接線柱(15)、Re帶(16)、基座(17)、出口狹縫(18)；上邊帶(12)、中間帶(13)、下邊帶(14)分別通過螺釘固定在基座(17)上的(3)個凹槽內(nèi)，Re帶(16)通過焊接固定在(2)個接線柱(15)上基座(17)的另一端與出口狹縫(18)連接。

3.一種熱電離飛行時間質(zhì)譜測定硼同位素的分析方法，其特征在于：包括如下步驟：

步驟一、樣品準(zhǔn)備：將被測樣品放置于熱電離離子源(1)中的中間帶(13)上，低溫烘干后裝入儀器中；

步驟二、儀器準(zhǔn)備：將熱電離離子源(1)腔中預(yù)抽真空，打開閘板閥(2)，打開儀器電源，預(yù)熱穩(wěn)定儀器，設(shè)定儀器各電壓的參數(shù)；

步驟三、儀器測量：儀器真空度到達平衡后可以開始測量，調(diào)整中間帶(13)電流，持續(xù)檢測被測樣品所產(chǎn)生的信號強度；

步驟四、數(shù)據(jù)處理：對步驟三所產(chǎn)生的信號進行處理。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種熱電離飛行時間質(zhì)譜測定硼同位素的分析方法，其特征在于：所述步驟一中，被測樣品放入中間帶(13)上前，在中間帶(13)上焊上金屬錸帶，用1A電流加熱錸帶除氣。

5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種熱電離飛行時間質(zhì)譜測定硼同位素的分析方法，其特征在于：所述步驟二中，熱電離離子源(1)腔中預(yù)抽真空的真空度為小于10^-4Pa。