[發明專利]涂鍍裝置在審
| 申請號: | 201611258706.3 | 申請日: | 2016-12-30 |
| 公開(公告)號: | CN106941085A | 公開(公告)日: | 2017-07-11 |
| 發明(設計)人: | 洪敏翔;黃騰億;田復仁;吳立仁;吳振名;黃廷輝;莊銘洋 | 申請(專利權)人: | 臺灣積體電路制造股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67;H01L21/02 |
| 代理公司: | 北京律誠同業知識產權代理有限公司11006 | 代理人: | 徐金國 |
| 地址: | 中國臺灣新竹市*** | 國省代碼: | 臺灣;71 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 裝置 | ||
技術領域
本揭示是關于一種涂鍍裝置。
背景技術
在半導體處理工業中,通過旋涂機器而將光阻劑涂布于半導體晶圓。晶圓置于平面真空晶圓座上及緩慢旋轉,同時,經由接近晶圓中心的噴口而涂布光阻劑。當晶圓以高速旋轉時,離心力使得光阻劑流向晶圓圓周,從而以平滑均勻的光阻劑涂層覆蓋晶圓表面。過量光阻劑從晶圓邊緣流下,被匯集及處理。
發明內容
根據本揭示案的一些實施例,涂鍍裝置包括晶圓座、涂鍍材料源頭、施配頭、排氣系統及襯里。晶圓座用以支撐晶圓。施配頭用以在晶圓上施配涂鍍材料。排氣系統用以排出過量的涂鍍材料。襯里至少部分地存在于排氣系統的內表面上,其中襯里具有對涂鍍材料的耐粘性,及襯里耐粘性大于排氣系統內表面的耐粘性。
附圖說明
本揭示案的態樣最佳在閱讀附圖時根據下文的詳細說明來進行理解。應注意,依據工業中的標準實務,多個特征并未按比例繪制。實際上,多個特征的尺寸可任意增大或縮小,以便使論述明晰。
圖1是根據本揭示案的一些實施例的一涂鍍裝置的橫剖面視圖;
圖2A至圖2E是根據本揭示案的一些實施例的一表面處理方法中多個階段的排氣組件橫剖面視圖。
具體實施方式
以下揭示內容提供眾多不同的實施例或實例以用于實施本案提供的標的物的不同特征。下文中描述組件及排列的特定實例以簡化本揭示案。這些組件及排列當然僅為實例,及不意欲進行限制。例如,在下文的描述中,第一特征在第二特征上方或之上的形成可包括其中第一特征與第二特征以直接接觸方式形成的實施例,及亦可包括其中在第一特征與第二特征之間形成額外特征以使得第一特征與第二特征無法直接接觸的實施例。此外,本揭示案在多個實例中可重復元件符號及/或字母。此重復用于實現簡化與明晰的目的,及其自身并不規定所論述的多個實施例及/或配置之間的關系。
此外,本案中可使用諸如“下方(beneath)”、“以下(below)”、“下部(lower)”、“上方(above)”、“上部(upper)”等等的空間相對術語,以便于描述一個元件或特征與另一或更多個元件或特征的關系,如附圖中所圖示。空間相對術語意欲包含在使用或操作中的裝置除附圖中繪示的定向以外的不同定向。設備可經旋轉(旋轉90度或其他定向),本案中使用的空間相對描述詞同樣可相應地進行解釋。
圖1是根據本揭示案的一些實施例的涂鍍裝置100的橫剖面視圖。涂鍍裝置100包括晶圓座(chuck)110、涂鍍材料200的源頭120、施配頭130、排氣系統140及襯里150。晶圓座110用以支撐晶圓300。施配頭130用以在晶圓300上施配涂鍍材料200。排氣系統140用以排出過量的涂鍍材料200。襯里150至少部分地存在于排氣系統140的內表面140a上。襯里150對涂鍍材料200具有耐粘性,及襯里150耐粘性大于排氣系統140的內表面140a的耐粘性。
在本揭示案的一些實施例中,涂鍍材料200可為液態光阻劑、液態聚酰亞胺或其他流體。在本揭示案的一些實施例中,涂鍍材料200可比水具有更大粘性。
在本揭示案的一些實施例中,涂鍍裝置100進一步包括可在晶圓座110上方延伸的施配臂160。施配臂160可包括連接源頭120及施配頭130的管件,以使得涂鍍材料200可從源頭120流經施配臂160到達施配頭130,隨后施配在晶圓300上。
排氣系統140亦可被視作提供多種功能的流體傳輸機構,如匯集過量涂鍍材料200、傳輸過量涂鍍材料200、監控排氣系統140內氣體壓力及監控排出氣體流速。
更詳細而言,在本揭示案的一些實施例中,排氣系統140可包括杯件142、排氣管144、取樣管146、壓力感測器147及排氣風扇148。應注意,針對排氣系統140而言,一或更多個元件是可選擇設置的,如取樣管146、壓力感測器147或排氣風扇148,這些元件不應被視作排氣系統140的限制。
杯件142至少部分地存在于晶圓座110下方。在本揭示案的一些實施例中,杯件142可圍繞晶圓座110及晶圓300。杯件142在其頂部上具有開口142a,及在其底部上具有排放開口142b。開口142a形成于晶圓座110上方,以使得施配頭130可通過重力經由開口142a而將涂鍍材料200注射在晶圓300上。排放開口142b形成于晶圓座110下方,以使得杯件142中的液體,如過量的涂鍍材料200可流向排放開口142b,并通過重力(及對吸力作反應)而流出杯件142。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于臺灣積體電路制造股份有限公司,未經臺灣積體電路制造股份有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201611258706.3/2.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇:具有防堵功能的發酵罐排渣管
- 下一篇:一種沼氣發酵罐
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





