[發(fā)明專利]發(fā)光裝置在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201611258525.0 | 申請(qǐng)日： | 2016-12-30 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN108269932A | 公開（公告）日： | 2018-07-10 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 劉榮輝;劉元紅;馬小樂;邵冷冷;李彥峰;陳曉霞 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 有研稀土新材料股份有限公司 |
| 主分類號(hào)： | H01L51/50 | 分類號(hào)： | H01L51/50;H01L51/54 |
| 代理公司： | 北京康信知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11240 | 代理人： | 趙囡囡;梁文惠 |
| 地址： | 100088 *** | 國省代碼： | 北京;11 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 發(fā)光裝置 發(fā)光材料 有機(jī)配合物 稀土離子 發(fā)光元件 轉(zhuǎn)化 出光穩(wěn)定性 發(fā)射峰位置 三腳架配體 大環(huán)配體 發(fā)光效率 發(fā)光性能 二次光 高波長 類配體 量子點(diǎn) 四吡咯 一次光 峰寬 可調(diào) 可控 鹵代 敏化 卟啉 轉(zhuǎn)換 吸收 申請(qǐng) 應(yīng)用 | ||
1.一種發(fā)光裝置，包括發(fā)光元件(2)和光轉(zhuǎn)化部分(3)，所述光轉(zhuǎn)化部分(3)吸收發(fā)光元件(2)發(fā)出的一次光并將其轉(zhuǎn)換為更高波長的二次光，所述光轉(zhuǎn)化部分(3)含有發(fā)光材料，其特征在于，所述發(fā)光材料包括有機(jī)配合物，所述有機(jī)配合物是由四吡咯大環(huán)配體A、稀土離子Ln以及氘代或鹵代的三腳架配體B組成。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光裝置，其特征在于，所述稀土離子Ln選自Yb、Nd、Er、Pr、Tm和Ho中的一種或多種，所述有機(jī)配合物具有如下三明治夾心結(jié)構(gòu)：
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的發(fā)光裝置，其特征在于，所述四吡咯大環(huán)配體A為卟啉；優(yōu)選所述四吡咯大環(huán)配體A為具有通式I的卟啉，
其中，為X為氘或氟，R為氟代苯環(huán)。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的發(fā)光裝置，其特征在于，所述稀土離子Ln選自Yb、Nd、Er和Pr中的一種或多種。
5.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的發(fā)光裝置，其特征在于，所述氘代或鹵代的三腳架配體B為氘代或鹵代的三腳架配體和/或氘代或鹵代的Tp三腳架配體。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光裝置，其特征在于，所述發(fā)光元件(2)的發(fā)射波長范圍為360～480nm。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光裝置，其特征在于，所述發(fā)光元件(2)為發(fā)射波長范圍介于390～430nm的紫光/近紫外光半導(dǎo)體芯片。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光裝置，其特征在于，所述發(fā)光元件(2)為發(fā)射波長范圍介于430～470nm的藍(lán)光半導(dǎo)體芯片。
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- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L51-00 使用有機(jī)材料作有源部分或使用有機(jī)材料與其他材料的組合作有源部分的固態(tài)器件；專門適用于制造或處理這些器件或其部件的工藝方法或設(shè)備
H01L51-05 .專門適用于整流、放大、振蕩或切換且并具有至少一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或表面勢(shì)壘的；具有至少一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或表面勢(shì)壘的電容器或電阻器
H01L51-42 .專門適用于感應(yīng)紅外線輻射、光、較短波長的電磁輻射或微粒輻射；專門適用于將這些輻射能轉(zhuǎn)換為電能，或者適用于通過這樣的輻射進(jìn)行電能的控制
H01L51-50 .專門適用于光發(fā)射的，如有機(jī)發(fā)光二極管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料選擇
