[發明專利]氮化鎵基功率二極管及其制作方法

有效

• 申請號: 201611258251.5
• 申請日: 2016-12-30
• 公開（公告）號: CN106601825B
• 公開（公告）日: 2019-12-03
• 發明（設計）人: 康玄武;劉新宇;黃森;王鑫華;魏珂
• 申請（專利權）人: 中國科學院微電子研究所
• 主分類號: H01L29/861
• 分類號: H01L29/861;H01L21/02;H01L21/329
• 代理公司: 11667 北京蘭亭信通知識產權代理有限公司
• 代理人: 趙永剛<國際申請>=<國際公布>=<進入

1.一種氮化鎵基功率二極管的制作方法，其特征在于，包括：

在重摻雜N型氮化鎵襯底上方生長第一輕摻雜N型氮化鎵外延層；

在所述第一輕摻雜N型氮化鎵外延層上方生長P型氮化鎵外延層；

對所述P型氮化鎵外延層和所述第一輕摻雜N型氮化鎵外延層進行刻蝕，以形成貫穿于所述P型氮化鎵外延層的刻蝕圖形；

在含有所述刻蝕圖形的P型氮化鎵外延層上方生長第二輕摻雜N型氮化鎵外延層；

制作陽極和陰極，以形成所述氮化鎵基功率二極管。

2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，在所述含有所述刻蝕圖形的P型氮化鎵外延層上方生長第二輕摻雜N型氮化鎵外延層之前，還包括：

在含有所述刻蝕圖形的P型氮化鎵外延層中，未被刻蝕的P型氮化鎵外延層上方生長金屬，其中所述金屬的生長高度與所述第二輕摻雜N型氮化鎵外延層的生長高度持平。

3.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述在第一輕摻雜N型氮化鎵外延層上方生長P型氮化鎵外延層包括：

利用金屬有機化合物化學氣相沉積法、分子束外延法或者氫化物氣相外延法在所述第一輕摻雜N型氮化鎵外延層上方生長所述P型氮化鎵外延層。

4.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述P型氮化鎵外延層的厚度小于所述第一輕摻雜N型氮化鎵外延層的厚度。

5.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述制作陽極和陰極包括：

在所述第二輕摻雜N型氮化鎵外延層上方沉積接觸金屬作為所述氮化鎵基功率二極管的陽極；

在所述重摻雜N型氮化鎵襯底下方沉積接觸金屬作為所述氮化鎵基功率二極管的陰極。