[發明專利]測試、制造和封裝半導體器件的方法在審
| 申請號： | 201611258101.4 | 申請日： | 2016-12-30 |
| 公開（公告）號： | CN107437512A | 公開（公告）日： | 2017-12-05 |
| 發明（設計）人： | 黃立賢;鄭詠守;林彥甫;蘇安治;吳偉誠;陳錦賢;陳憲偉;葉德強 | 申請（專利權）人： | 臺灣積體電路制造股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/66 | 分類號： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知識產權代理有限公司11409 | 代理人： | 章社杲,李偉 |
| 地址： | 中國臺*** | 國省代碼： | 臺灣;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 測試 制造 封裝 半導體器件 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種測試半導體器件的方法，所述方法包括：
提供集成電路管芯，所述集成電路管芯包括設置在其上的多個接觸件；
在所述集成電路管芯和所述多個接觸件上方形成絕緣材料；
在所述絕緣材料中且在所述多個接觸件的每個上方形成開口；
在所述開口中且在所述多個接觸件的每個上方形成共晶材料；
通過接觸設置在所述多個接觸件的每個上方的所述共晶材料來電測試所述集成電路管芯；以及
去除所述共晶材料。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
