[發明專利]一種背結背接觸太陽能電池

在審

• 申請號: 201611257309.4
• 申請日: 2016-12-30
• 公開（公告）號: CN106653887A
• 公開（公告）日: 2017-05-10
• 發明（設計）人: 賈銳;姜帥;陶科;孫恒超;戴小宛;金智;劉新宇
• 申請（專利權）人: 中國科學院微電子研究所
• 主分類號: H01L31/0236
• 分類號: H01L31/0236;H01L31/0352;H01L31/0216;H01L31/0224
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司11227
• 代理人: 趙青朵

1.一種背結背接觸太陽能電池，其特征在于，包括：

基片；

復合在所述基片前表面的復合層；

復合在所述基片背表面的隧穿氧化物層；

復合在所述隧穿氧化物層上的P型摻雜半導體層和N型摻雜半導體層；

設置在所述P型摻雜半導體層上的正電極；

設置在所述N型摻雜半導體層上的負電極。

2.根據權利要求1所述的太陽能電池，其特征在于，所述基片前表面的復合層包括：

復合在所述基片前表面上的前場區；

復合在所述前場區上的前表面鈍化層；

復合在所述前表面鈍化層上的減反射層。

3.根據權利要求1所述的太陽能電池，其特征在于，所述P型摻雜半導體層和N型摻雜半導體層相鄰交替復合在所述隧穿氧化物層上，和/或所述P型摻雜半導體層和N型摻雜半導體層相隔交替復合在所述隧穿氧化物層上；

所述P型摻雜半導體層的寬度與所述N型摻雜半導體層的寬度比為(2～10)：1。

4.根據權利要求3所述的太陽能電池，其特征在于，所述P型摻雜半導體層和N型摻雜半導體層相鄰交替復合在所述隧穿氧化物層上時，所述正電極的寬度小于所述P型摻雜半導體層的寬度，所述負電極的寬度小于所述N型摻雜半導體層的寬度，且所述正電極不與所述N型摻雜半導體層相接觸，所述負電極不與所述P型摻雜半導體層相接觸。

5.根據權利要求1所述的太陽能電池，其特征在于，所述基片前表面的復合層具有絨面陷光結構。

6.根據權利要求1所述的太陽能電池，其特征在于，所述基片前表面具有絨面陷光結構。

7.根據權利要求1～6任意一項所述的太陽能電池，其特征在于，所述基片的材質包括輕摻雜的硅材料，所述輕摻雜的摻雜濃度為10¹³～10¹⁷cm^-3；所述摻雜的類型為N型；

所述硅材料包括單晶硅、多晶硅和硅薄膜中的一種或多種；

所述摻雜的材質包括硼、磷、鎵和砷中的一種或多種；

所述基片的少子壽命大于等于500μs；所述基片的電阻率為1～50Ω·cm；

所述基片的厚度為50～300μm。

8.根據權利要求1～6任意一項所述的太陽能電池，其特征在于，所述隧穿氧化物層的材質為絕緣材料；

所述絕緣材料包括二氧化硅、二氧化鈦、氧化鋁和氮化硅中的一種或多種；

所述隧穿氧化物層的厚度為0.3～2nm。

9.根據權利要求1～6任意一項所述的太陽能電池，其特征在于，所述P型摻雜半導體層和N型摻雜半導體層的半導體材質各自包括微晶硅、多晶硅和非晶硅中的一種或多種；所述摻雜的材質各自包括硼、磷、鎵和砷中的一種或多種；

所述摻雜的濃度各自為10¹⁸～10²¹cm^-3；

所述P型摻雜半導體層和N型摻雜半導體層的厚度各自選自5nm～500nm。

10.根據權利要求2所述的太陽能電池，其特征在于，所述前場區為在基片前表面上，通過擴散磷形成的高摻雜區域；

所述前場區的厚度為0.5～2μm；

所述前表面鈍化層包括氧化硅層、氮化硅層、氧化硅和氮化硅疊層或碳化硅層；

所述前表面鈍化層的厚度為50～100nm；

所述減反射層的材質包括氮化硅、ITO、氧化硅和氧化鈦中的一種或多種；

所述減反射層的厚度為40～100nm。